隨著先進半導體封裝與精細製程持續朝高解析、高效率的演進，關鍵光源技術成為設備效能升級的核心。新唐科技（Nuvoton Technology）近日推出一款高功率紫外光半導體雷射二極體，波長379 nm、連續波（CW）光學輸出功率達1.0 W，並封裝於直徑僅9.0 mm的 TO-9（CAN）金屬封裝中。此一量產被視為紫外雷射在無光罩微影與多元工業應用上，向更短波長與更高輸出功率邁進的重要一步。

高功率紫外光雷射二極體的波長379 nm、連續波（CW）光學輸出功率達1.0 W，推動無光罩微影技術在先進半導體封裝中的精細圖案化和高產能，將於2026年3月開始量產。

從技術背景來看，紫外半導體雷射長期面臨兩大挑戰：其一是短波長材料系統下，光電轉換效率（WPE）偏低，導致在高輸出功率操作時產生大量熱能；其二則是紫外光本身對元件材料造成的老化效應，使得穩定壽命與可靠度難以兼顧。特別是在1.0 W以上的輸出區間，熱失控與性能衰退往往成為量產與實務導入的關鍵障礙。

新唐指出，此次量產的379 nm紫外雷射透過「器件結構」與「封裝散熱」雙管齊下的策略所完成。在元件設計上，除了優化發光層與光導層結構，亦導入專有的摻雜剖面控制技術，降低內部光吸收損失與操作電壓，使電能能更有效率地轉換為光輸出，從源頭改善WPE表現。這種結構設計，對於短波長紫外雷射尤為關鍵，直接影響可達輸出功率與長時間穩定性。

在封裝層面，新唐採用高熱傳導的先進封裝架構，強化雷射晶片與外殼之間的散熱路徑。使得「短波長、高輸出功率、長效運作」三項紫外雷射指標能夠實現在單一產品兼顧效能。

從應用面觀察，379 nm波長已相當接近傳統 i 線（365 nm）光源，被視為無光罩微影技術中兼顧解析度與系統可行性的關鍵區段。隨著先進封裝朝向更細微線寬與更高產能發展，高功率紫外半導體雷射可提供更精細的圖案化能力，同時提升曝光與製程效率，為設備端帶來實質效益。

在全球逐步汰換含汞光源的政策與產業趨勢下，預計高功率、長壽命的紫外半導體雷射，將成為樹脂固化、精密標記、3D 列印、生物醫學與各式工業紫外應用的重要替代光源。這款379 nm、1.0 W紫外半導體雷射二極體預計2026年3月起量產供貨。