英特爾宣佈開始量產一款90奈米多層單元(Multi-Level Cell；MLC) NOR快閃記憶體。新款Intel StrataFlash Cellular Memory (M18)元件提供較先前130奈米版本元件更快的效能、更高的密度以及更低的耗電量，滿足具有相機、彩色螢幕、Web瀏覽以及影片播放等多功能手機的需求。

M18提供業界最快的讀取速度，讓新款快閃記憶體達到與新一代手機晶片組一樣的匯流排時脈 – 最高達133MHz。由於晶片組與記憶體之間的互動速度較130奈米版本的元件高，這種速度更符合使用者應用的需求。M18的寫入速度高達每秒0.5MB，能支援3百萬像素相機與MPEG4格式的影片。出廠前編程速度較先前的130奈米版本快三倍，讓OEM廠商享受更低的生產成本。與前一代產品相較之下，M18編程時消耗的電力只有三分之一，刪除資料時消耗的電力只有二分之一，並提供新開發的Deep Power Down運作模式，這些都有助於提高電池續航力。M18亦提高NOR快閃元件密度，單晶片解決方案可達256Mb與512Mb的容量，標準堆疊式封裝解決方案可達1Gb。

英特爾現與手機產業的廠商合作，協助客戶縮短整合時間、提昇效能以打造出最佳化的參考設計平台。為協助研發業者加速整合與推出新款手持式裝置，英特爾推出免權利金的新一代Intel Flash Data Integrator (Intel FDI) 軟體。Intel FDI v7.1提供一套開放式架構，讓業者能整合快閃檔案系統、即時作業系統，以及可掛載USB、支援Multi-volume，以及支援RAM緩衝區等三項新功能。