摩托羅拉半導體事業部(SPS)和摩托羅拉實驗室於本週在2002年科技與電路超大型積體電路座談會(2002 VLSI Symposia on Technology and Circuits)中，聯合發表第一款百萬位元MRAM(磁電阻式隨機存取記憶體，magnetoresistive random access memory)通用記憶體晶片。這項成就大幅增進了通用記憶體的研發狀態，使這項科技更貼近變革中的半導體記憶體市場。摩托羅拉半導體產品部總監Saied Tehrani表示，「MRAM有潛力成為廣泛的數位消費應用產品的普遍記憶體選擇，例如手機、行動設備、筆記型電腦、個人電腦，甚至汽車等。我們會以穩紮穩打的方式來達到2003年的MRAM樣品出貨目標及2004年的量產目標。」

MRAM

摩托羅拉之前已經開發出第一款256 Kbit MRAM晶片，並於2001年2月發表了這項技術。這一類的記憶體屬於非易失性，亦即當運作電源關閉後，資訊仍然可以保留在該記憶體中。1 Mbit晶片是目前已開發成功的最大型MRAM，它讓半導體產業在高密度通用記憶體晶片的商品化上，更往前邁進了一大步。

這項革命性的記憶體晶片技術能大幅改變消費者使用電子設備的方式。包括電腦和手機啟動速度緩慢、資料遺失、漫長的資料下載時間、電池壽命短等沿襲已久的問題，都能經由MRAM晶片的協助一掃而空。例如，今日的電腦必須在電源啟動時，將資料從硬碟載入區域記憶體中。但是MRAM可以讓程式和資料保留在區域記憶體內，即使電源關閉時亦然。同樣地，可預期MRAM也能消除我們現在在開啟或關閉手機電源時的延遲時間。

Semico Research Corporation非易失性記憶體總監Jim Handy表示，「研發人員試圖尋找半導體記憶體世界的聖杯已有數十年之久- 一種非易失性、價格低廉、速度快且低耗電的裝置。今日的每項普及技術，DRAM、Flash及SRAM，都帶有一項或兩項這些特性，但是尚未有一項技術能滿足這所有的需求。摩托羅拉的MRAM技術似乎能帶領我們更加接近這個理想記憶體晶片的終極目標。」

MRAM技術也能將多種記憶體選擇整合於單一晶片中。排除了對多種記憶體的需要，未來的消費產品就能更加小巧，並且具備更符合成本效益的記憶體功能。