快閃記憶體製造商ST，日前宣佈128Mbit的NAND快閃記憶體──NAND128W3A2BN6E已開始採用90奈米製程技術製造。全面轉移到90奈米製程可同時減小記憶體晶片的成本與功耗，目前90奈米製程已廣泛應用在數位相機、錄音設備、PDA、STB、印表機與大容量快閃記憶卡等對成本敏感的消費性設備中。NAND128是當前市場上唯一採用90奈米製程技術的128Mbit快閃記憶體。

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NAND128提供超快速數據傳輸率與擦除能力。該系列所有記憶體的地址線與數據輸入/輸出信號都能透過多路傳輸到一個8位元匯流排，以減少接腳數量，同時能使用模組化NAND介面，能讓製造商在無需修改電路板設計情況下，運用高密度或低密度記憶體製造差異化的系統。

ST提供完整的軟體工具鏈，能加快產品開發速度，並協助延伸記憶體晶片壽命。這些工具包含糾錯碼（Error Correction Code，ECC）軟體、壞死區塊管理（Bad Block Management，BBM），可識別及取代在擦除或編程操作時的失效區塊，同時還能將這些區塊的資料拷貝到有效區塊中；支援平均讀寫（Wear Leveling）的演算法能透過在整個區塊內平均分配擦除與編程操作來防止記憶體老化；其他軟體還包括檔案系統OS原生參考軟體，以及硬體模擬模型。

新元件還包含‘無需介意晶片啟動’（Chip Enable Don't Care）功能，可簡化微控制器的介面設計，並簡化將NAND快閃記憶體與NOR快閃記憶體、SRAM等整合的過程。另外，獨特的元件識別碼則能由工廠進行編程，而用戶可編程序列碼則可讓製造商增添安全功能。