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MIT成功以单晶片钻石薄膜大幅提升GaN晶体管散热效能 (2026.06.09)
随着6G通讯技术与卫星通讯硬体向更高频段、高功率方向演进，次世代半导体元件的热管理正逼近物理极限。麻省理工学院（MIT）研究团队日前发表一项技术突破，成功在氮化??（GaN）高功率晶体管顶部，成功生长出超薄的「单晶钻石」薄膜层 |
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应用材料推出沉积系统 符合埃米级AI晶片需求 (2026.04.14)
迎合现今AI运算需求急速攀升，半导体产业正不断突破微缩极限，致力於提升处理器晶片中数千亿个电晶体的能源效率表现。应用材料公司近日也新推出2款晶片制造系统，透过原子级的精度控制材料沉积，协助晶片制造商打造更快速、节能的电晶体，以支持全球AI基础建设的扩张 |
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NTT开发AlN高频晶体管 有??重塑通讯与功率半导体产业版图 (2025.12.09)
NTT研究团队成功研发全球首个以氮化铝（Aluminum Nitride, AlN）为基础的高频晶体管。这款 AlN 高频晶体管能在极高频率下进行无线讯号放大，包括支援毫米波（mmWave）频段，使其在後 5G、6G、卫星通讯以及新世代无线系统中具有革命性意义 |
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NTT开发AlN高频晶体管 有??重塑通讯与功率半导体产业版图 (2025.12.09)
NTT研究团队成功研发全球首个以氮化铝（Aluminum Nitride, AlN）为基础的高频晶体管。这款 AlN 高频晶体管能在极高频率下进行无线讯号放大，包括支援毫米波（mmWave）频段，使其在後 5G、6G、卫星通讯以及新世代无线系统中具有革命性意义 |
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SoIC引领後摩尔定律时代：重塑晶片计算架构的关键力量 (2025.12.09)
SoIC不仅象徵後摩尔定律时代的技术方向，也代表台湾在全球技术竞局中持续领先的关键力量。当全球算力需求加速成长，SoIC 将是推动未来十年半导体产业变革的核心引擎 |
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安世半导体引爆全球半导体供应链的结构性风险 (2025.11.05)
安世半导体原为荷兰公司、总部位於奈梅亨（Nijmegen），聚焦於二极体、晶体管、电源管理晶片等成熟制程元件。其母公司为中国的?泰科技（Wingtech Technology），该公司在 2018 年透过收购取得安世半导体 |
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安世半导体引爆全球半导体供应链结构性风险 (2025.11.05)
安世半导体原为荷兰公司、总部位於奈梅亨（Nijmegen），聚焦於二极体、晶体管、电源管理晶片等成熟制程元件。其母公司为中国的?泰科技（Wingtech Technology），该公司在 2018 年透过收购取得安世半导体 |
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SK hynix与ASML完成首台High-NA EUV系统组装 (2025.09.08)
南韩SK hynix 与荷兰设备大厂 ASML已成功完成首台「商用 High-NA EUV」系统的组装作业。这项技术被誉为未来半导体制程的重要基石，代表记忆体产业正迈向新一轮技术革新。
这套设备的核心亮点，在於其数值孔径（NA）达到 0.55，远高於现有 EUV 系统普遍使用的 0.33 NA |
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SK hynix与ASML完成首台High-NA EUV系统组装 (2025.09.08)
南韩SK hynix 与荷兰设备大厂 ASML已成功完成首台「商用 High-NA EUV」系统的组装作业。这项技术被誉为未来半导体制程的重要基石，代表记忆体产业正迈向新一轮技术革新。
这套设备的核心亮点，在於其数值孔径（NA）达到 0.55，远高於现有 EUV 系统普遍使用的 0.33 NA |
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先进封装重塑半导体产业生态系 (2025.09.08)
随着AI、5G/6G、高效能运算与自驾车等应用持续推进，先进封装将成为半导体技术突破与产业生态演化的核心引擎。整个产业不再只是追逐「更小的制程节点」，而是进入「系统级最隹化」的新时代 |
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xPU能效进化论 每瓦特算力成为AI时代新价值 (2025.05.07)
半导体产业必须重新定义「效能」：不再仅以每秒浮点运算次数（FLOPS）比较，而以每瓦特浮点运算（FLOPS/W）为核心指标。本文将从制程微缩、先进封装、架构革新三个维度，深入剖析xPU的节能技术路线 |
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感测，无所不在 (2025.03.14)
从自动驾驶汽车到智慧家居，从工业机器人到无人机，越来越多的应用需要机器能够感知和理解周围的环境。而实现这一目标的关键，便是环境感知技术及其核心零组件。 |
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VLSI TSA研讨会4月将登场 聚焦高效能运算、矽光子、量子计算 (2025.03.13)
随着全球半导体技术持续推进，AI、量子计算、高效能运算（HPC）等技术发展正驱动产业革新，今年由工研院主办第42年的「国际超大型积体电路技术、系统暨应用研讨会」（VLSI TSA），即将於4月21~24日於新竹国宾饭店登场 |
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VLSI TSA研讨会4月将登场 聚焦高效能运算、矽光子、量子计算 (2025.03.13)
随着全球半导体技术持续推进，AI、量子计算、高效能运算（HPC）等技术发展正驱动产业革新，今年由工研院主办第42年的「国际超大型积体电路技术、系统暨应用研讨会」（VLSI TSA），即将於4月21~24日於新竹国宾饭店登场 |
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2奈米制程竞争 台积电稳步向前或芒刺在背? (2025.03.03)
在半导体制程技术的竞赛中，2奈米制程成为各大厂商争夺的下一个重要里程碑。台积电（TSMC）正在积极研发2奈米制程，於2024年开始试产，并计画於2025年实现量产。台积电将在2奈米节点引入GAA（环绕栅极）奈米片晶体管技术，这是从传统的FinFET转向新一代晶体管架构的重大转变 |
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2奈米制程竞争 台积电稳步向前或芒刺在背? (2025.03.03)
在半导体制程技术的竞赛中，2奈米制程成为各大厂商争夺的下一个重要里程碑。台积电（TSMC）正在积极研发2奈米制程，於2024年开始试产，并计画於2025年实现量产。台积电将在2奈米节点引入GAA（环绕栅极）奈米片晶体管技术，这是从传统的FinFET转向新一代晶体管架构的重大转变 |
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Bourns 推出符合 AEC-Q200 标准 车规级高隔离驰返式变压器系列 (2024.12.24)
美商柏恩 Bourns，全新推出符合 AEC-Q200 标准车规级 HVMA03F40C-ST10S 驰返式变压器。该系列专为在紧凑尺寸中实现高功率密度与更高效率而设计，以因应当今汽车、工业以及能源储存设计对於功率密度的不断增长需求 |
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Bourns 推出符合 AEC-Q200 标准 车规级高隔离驰返式变压器系列 (2024.12.24)
美商柏恩 Bourns，全新推出符合 AEC-Q200 标准车规级 HVMA03F40C-ST10S 驰返式变压器。该系列专为在紧凑尺寸中实现高功率密度与更高效率而设计，以因应当今汽车、工业以及能源储存设计对於功率密度的不断增长需求 |
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英飞凌推出新一代氮化??功率分立元件 (2024.11.26)
最新一代CoolGaN电晶体实现了现有平台的快速重新设计。新元件改进了性能指标，确保为重点应用带来具有竞争力的切换性能。与主要同类产品和英飞凌之前的产品系列相比，CoolGaN 650 V G5电晶体输出电容中储存的能量（Eoss）降低了多达50%，漏源电荷（Qoss）和闸极电荷（Qg）均减少了多达 60% |
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英飞凌推出新一代氮化??功率分立元件 (2024.11.26)
最新一代CoolGaN电晶体实现了现有平台的快速重新设计。新元件改进了性能指标，确保为重点应用带来具有竞争力的切换性能。与主要同类产品和英飞凌之前的产品系列相比，CoolGaN 650 V G5电晶体输出电容中储存的能量（Eoss）降低了多达50%，漏源电荷（Qoss）和闸极电荷（Qg）均减少了多达 60% |
