 |
专为可携式电源而设计： 英飞凌CoolGaN BDS 40 V G3系列可缩减82%的占板面积 (2026.05.28)
全球电源系统和物联网领域半导体领导者英飞凌科技股份有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）进一步扩展了其CoolGaN BDS 40 V G3双向开关（BDS）系列，推出了两款新产品：IGK048B041S和IGK120B041S |
|
Microchip 推出 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模组，支援 AI 资料中心固态变压器应用 (2026.05.28)
Microchip Technology今日宣布推出全新 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模组，专为加速 AI 超大规模资料中心与其他高电压电力应用导入固态变压器（Solid-State Transformer, SST）而设计。新模组於业界标准 62 mm 封装中整合 3.3 kV 碳化矽（SiC）mSiC MOSFET 与萧特基二极体，可实现从中压电网直接向伺服器机柜提供高效率电力传输 |
 |
ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！ (2026.05.19)
半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）开发出全新一代EcoSiC「第5世代SiC MOSFET」，非常适用於xEV（电动车）牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统，以及AI伺服器电源和资料中心等工业设备电源 |
|
ROHM开发出扩充性出色的车载SoC适用电源解决方案 (2026.05.19)
半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）开发出结合PMIC*1「BD968xx-C系列」和DrMOS*2「BD96340MFF-C」的全新电源解决方案，适用於ADAS（先进驾驶辅助系统）、DMS（驾驶监控系统）和感测相机等车载应用SoC*3 |
 |
设计汽车过压保护原型 (2026.05.18)
本文介绍如何使用抛负载保护电路来防止原型制作过程中出现意外的过压/反向电压情况。这种简单的电路能够在因一时疏忽而接错电源时，保护电路不受损坏，进而避免数小时的重工时间 |
|
IC设计整合多效能实现智慧行动电源 (2026.05.15)
本文介绍一种采用ADI产品设计的智慧行动电源充电器，其弹性设定能够接受多种输入电源，并在智慧管理电池充电的同时为负载供电。 |
|
国科会核准5案进驻科学园区 投资7.9亿元布局SiC与AI设计服务 (2026.05.11)
国科会於第32次园区审议会中核准5案进驻科学园区，总投资金额达新台币7.9亿元。本次核准案涵盖绿能环保、第三代半导体及ASIC设计服务，显见科学园区持续吸引高阶技术投资，完善台湾高科技产业链布局，并对接全球净零碳排趋势与AI运算需求 |
|
2026 ASMC半导体制造会议开幕 聚焦Glass4Chips与离子注入 (2026.05.11)
「ASMC 2026（Advanced Semiconductor Manufacturing Conference）」在纽约州正式揭幕。本届会议汇集了英飞凌（Infineon）、意法半导体（STMicroelectronics）及应用材料（Applied Materials）等龙头，核心焦点在於透过创新材料与优化设备解决3奈米以下制程的量产挑战 |
|
高功率密度DC/DC模组驱动AI电力效率升级 (2026.05.11)
人工智慧与高效能运算推升资料中心功率密度，传统配电架构面临效率与扩充瓶颈。800V HVDC透过高压低流设计，结合高功率密度电源模组，成为高效能电力系统关键技术。 |
|
利用运算放大器实现可调线性稳压电源与讯号产生器 (2026.05.11)
运算放大器是一种高增益的电子元件，主要用来放大电压讯号。它是一种差动放大器，输出取决於两个输入端之间的电压差。 |
 |
英飞凌半导体技术在Artemis II太空任务中展现可靠性 (2026.04.16)
美国太空总署 (NASA) 的阿提米丝二号 (Artemis II) 任务在完成为期十天的太空飞行後成功返回地球。此次任务中不仅完成绕月飞行，还创下了载人太空船距离地球最远的飞行纪录 |
|
Microchip 发表 BZPACK mSiC 功率模组，专为严苛环境中的高要求应用而设计 (2026.04.02)
Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模组，专为符合严格的高湿度、高电压、高温反向偏压（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias, HV-H3TRB）标准而设计。BZPACK 模组可提供卓越的可靠性、简化制造流程，并为最严苛的电力转换环境提供多样化的系统整合选项 |
|
Microchip 发表 BZPACK mSiC 功率模组，专为严苛环境中的高要求应用而设计 (2026.04.02)
Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模组，专为符合严格的高湿度、高电压、高温反向偏压（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias, HV-H3TRB）标准而设计。BZPACK 模组可提供卓越的可靠性、简化制造流程，并为最严苛的电力转换环境提供多样化的系统整合选项 |
|
Microchip 发表 BZPACK mSiCR 功率模组，专为严苛环境中的高要求应用而设计 (2026.03.20)
Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模组，专为符合严格的高湿度、高电压、高温反向偏压（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias, HV-H3TRB）标准而设计。BZPACK 模组可提供卓越的可靠性、简化制造流程，并为最严苛的电力转换环境提供多样化的系统整合选项 |
|
Microchip 发表 BZPACK mSiCR 功率模组，专为严苛环境中的高要求应用而设计 (2026.03.20)
Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模组，专为符合严格的高湿度、高电压、高温反向偏压（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias, HV-H3TRB）标准而设计。BZPACK 模组可提供卓越的可靠性、简化制造流程，并为最严苛的电力转换环境提供多样化的系统整合选项 |
|
IBM与Lam Research启动5年合作进军次1奈米逻辑制程 (2026.03.11)
IBM与半导体设备商科林研发（Lam Research）共同宣布一项为期5年的战略合作计画，目标要达成「次1奈米（Sub-1nm）」逻辑晶片的技术开发。这项联盟将结合IBM在先进半导体材料的研究实力，以及Lam Research在制程设备上的专业，共同应对未来AI数据中心与高效能运算（HPC）对极致算力的渴求 |
|
IBM与Lam Research启动5年合作进军次1奈米逻辑制程 (2026.03.11)
IBM与半导体设备商科林研发（Lam Research）共同宣布一项为期5年的战略合作计画，目标要达成「次1奈米（Sub-1nm）」逻辑晶片的技术开发。这项联盟将结合IBM在先进半导体材料的研究实力，以及Lam Research在制程设备上的专业，共同应对未来AI数据中心与高效能运算（HPC）对极致算力的渴求 |
|
英飞凌碳化矽功率半导体成功应用於丰田 bZ4X 新车款 (2026.03.03)
英飞凌科技股份有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布，全球最大汽车制造商丰田 (TOYOTA) 已在其新款车型bZ4X中采用了英飞凌CoolSiC MOSFET（碳化矽功率MOSFET）产品 |
|
英飞凌碳化矽功率半导体成功应用於丰田 bZ4X 新车款 (2026.03.03)
英飞凌科技股份有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布，全球最大汽车制造商丰田 (TOYOTA) 已在其新款车型bZ4X中采用了英飞凌CoolSiC MOSFET（碳化矽功率MOSFET）产品 |
|
贸泽电子透过专为工程师建立的马达控制资源中心 推动卓越的电子设计 (2026.02.23)
贸泽电子 (Mouser Electronics) 透过其线上马达控制资源中心，帮助工程师在马达控制设计领域保持领先。先进的马达控制旨在精确调节马达的速度、扭力和位置。这些创新对於新一代移动及电动车 (EV) 系统至关重要，提高了效率和续航里程 |
