英飛凌推出車用CoolSiC肖特基二極體 結合效能與耐用性 (2018.06.19)

英飛凌科技股份有限公司首款車用碳化矽系列CoolSiC肖特基二極體系列於日前PCIM展會上亮相，該款肖特基二極體已準備就緒，可用於目前和未來油電混合車和電動車中的車載充電器 (OBC) 應用...

英飛凌推出表面黏著 D2PAK 封裝650V IGBT 提供最高功率密度 (2018.05.30)

英飛凌科技股份有限公司擴展TRENCHSTOP 5薄晶圓技術產品組合，推出IGBT與全額定電流 40 A 二極體共同封裝於表面黏著 TO-263-3 外型 (也就是 D2PAK) ，最高達40 A的 650V IGBT。 (圖一)英飛凌推出表面黏著 D2PAK 封裝650V IGBT 提供最高功率密度 全新的 TRENCHSTOP 5 IGBT 採用 D2PAK 封裝...

愛美科觀點：3D IC晶片堆疊技術 (2018.02.23)

2018年愛美科將以3D列印為基礎，進一步發展3D IC冷卻技術，並往傳統製程技術上被認為不可能的方向前進。...

英飛凌推出智慧電源開關PROFET+2與High Current PROFET (2017.07.04)

具備更佳的能源效率與微型化尺寸 (圖一)採用SMART7技術的高側電源開關系列：High Current PROFET 【德國慕尼黑訊】汽車製造商都希望車載電子系統能夠以最小的空間提供最多樣的節能功能，英飛凌科技因應此項趨勢，推出最新 SMART7功率IC製造技術，適用於車身控制模組或配電中心等汽車應用...

瑞薩電子推出低功率損耗IGBT以提升空調電源效率 (2015.12.03)

瑞薩電子推出新款RJP65T54DPM-E0，它是適用於空調功率因數校正(PFC)電路的功率半導體裝置，並採用中低階空調廣為使用的部分開關。 (圖一)瑞薩的新款RJP65T54DPM-E0適用於空調功率因數校正(PFC)電路的功率半導體裝置 現代的空調必須符合高效率及開關噪音抑制標準...

英飛凌高效率650V IGBT支援電動車與油電混合車的快速切換技術 (2015.04.08)

英飛凌科技（Infineon）推出 650V IGBT 系列，為快速切換的汽車應用提供最佳效率。榮獲汽車電子協會認證（AEC-Q）的 TRENCHSTOP 5 AUTO IGBT 可有效降低功率損耗，提升電動車（EV）與油電混合車（HEV）應用的可靠性，例如：車用充電、功率因子校正（PFC）、DC-DC 與 DC/AC 之轉換等...

華虹半導體2014年Java智慧卡晶片出貨量逾5.65億顆 (2015.02.04)

全球200mm純晶圓代工廠─華虹半導體宣布，2014年Java智慧卡晶片出貨量突破5.65億顆，創歷史新高，相較於2013年的3.48億顆增長高達62%。該大幅?長主要得益於全球移動通訊市場推動了Java智慧卡的應用，也得益於業內多家知名晶片廠商的認可和支持...

英飛凌專為50Hz至20kHz的低切換頻率設計全新等級 IGBT (2015.01.30)

英飛凌科技（Infineon）推出全新等級的低飽和電壓 VCE(sat) IGBT，專為 50Hz 至 20 kHz 的低切換頻率所設計，適用於不斷電系統（UPS）以及太陽光電與焊接系統中的變頻器等應用...

IR擴充超高速溝道IGBT系列 (2014.10.22)

因應多樣化系統應用的需求，國際整流器公司（International Rectifier；IR）推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx元件，藉以擴充絕緣閘雙極電晶體（IGBT）系列。新產品旨在為多種快速開關應用作出優化，包括太陽能逆變器、焊接設備、工業用馬達、感應加熱及不斷電供應系統...

IR推出高效能600V超高速溝道IGBT IR66xx系列 (2014.08.19)

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出高效能600V超高速溝道場截止絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) IR66xx系列。全新堅固可靠的元件系列提供極低的導通損耗和開關損耗，旨在為焊接應用作出優化...

邁向 12吋薄晶圓功率技術之挑戰 (2014.04.22)

英飛凌在 2013 年 2 月推出於奧地利維拉赫 (Villach) 廠全新 12吋生產線製造 的首批CoolMOS 系列產品。英飛凌為此進行超過三年的密集研發活動，並與全歐洲各個領域的合作夥伴合作，其中包括製程技術、生產技術，以及進階功率技術 (以 12吋晶圓為基礎) 的處理和自動化...

邏輯製程演進下之IC製造產業競爭態勢 (2013.08.09)

隨著2013年的經濟景氣可望較2012年復甦，半導體市場亦有回甦景象。位居全球領導地位之晶圓製造業者除公布2013年第一季經營狀況之外，亦紛紛發表未來的資本支出規劃和先進製程提升藍圖...

IR 1200V IGBT為馬達驅動器及不斷電供應系統應用 (2013.06.18)

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固可靠，並為工業用馬達驅動器及不斷電供應系統 (UPS) 而優化的1200V超高速絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 系列...

英飛凌榮獲奧地利國家創新獎 (2013.04.09)

英飛凌科技榮獲 2013 奧地利國家創新獎 (National Innovation Prize)，該公司因其在奧地利菲拉赫(Villach) 廠所開發的 12吋薄晶圓技術而獲獎。英飛凌(奧地利)董事會成員，負責技術及創新的 Sabine Herlitschka 博士代表英飛凌從奧地利經濟部長 Reinhold Mitterlehner 手上接下這座獎項...

英飛凌 12吋薄晶圓製造通過品質認證開始出貨 (2013.02.26)

英飛凌科技股份有限公司在 12 吋薄晶圓功率半導體的製程上取得重大突破，公司的 CoolMOS系列產品在二月份取得首筆客戶訂單，由位於奧地利維拉赫 (Villach) 廠房的 12 吋生產線負責生產...

IR擴充600V溝道超高速IGBT陣容 (2013.02.21)

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充600V絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 陣容，推出堅固可靠的IRGP4640D、IRGP4650D及IRGP4660D，藉以優化不斷電供應系統 (UPS)、太陽能、感應加熱、工業用馬達和焊接應用...

IBM：晶圓也要一起很軟Q (2013.02.06)

IBM於2013年2月6日所舉辦的Common Platform會議上，除了公開展示基於14nm製程技術的晶圓之外，更讓人驚艷的是可撓式晶圓意外現身，隨著應用可撓式相關技術的電子零件以及產品相繼問世，看來，2013年的確是可撓式相關技術的元年，只要想得出的科技零件，未來通通不再是夢想...

FPGA的時代到了！ (2012.12.10)

從過去系統的配角，到今日系統的主角。 FPGA挾其高整合、高效能、高靈活的特色，在各領域嶄露頭角。 我們可以說，FPGA的時代真的到了。...

IR Gen8 1200V IGBT技術平台提升效率及耐用性 (2012.11.21)

國際整流器公司(IR)日前推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平台利用IR新一代溝道閘極場截止技術。 (圖一)IR推出全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平台 Gen8設計讓Vce(on) 能夠減少功耗，增加功率密度，以及提供耐用性...

英飛凌再度榮膺功率半導體市場寶座 (2012.10.19)

英飛凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 連續九年成為功率半導體市場的領導者。根據市調機構 IMS Research（屬IHS公司）最新報告指出，2011 年全球功率半導體市場總值達 176 億美元，而英飛凌的市占率達 11.9%...