搜尋

會員登入

搜尋

導覽

會員

英飛凌推出表面黏著 D2PAK 封裝650V IGBT 提供最高功率密度

瀏覽次數:3453

英飛凌科技股份有限公司擴展TRENCHSTOP 5薄晶圓技術產品組合,推出IGBT與全額定電流 40 A 二極體共同封裝於表面黏著 TO-263-3 外型 (也就是 D2PAK) ,最高達40 A的 650V IGBT。


圖一 : 英飛凌推出表面黏著 D2PAK 封裝650V IGBT 提供最高功率密度
圖一 : 英飛凌推出表面黏著 D2PAK 封裝650V IGBT 提供最高功率密度

全新的 TRENCHSTOP 5 IGBT 採用 D2PAK 封裝,可滿足自動化表面黏著組裝的電源裝置對於更高功率密度日益增加的需求。需要最高功率密度及效率的典型應用包括太陽能逆變器、不斷電系統 (UPS)、電池充電及能源儲存。


英飛凌的超薄 TRENCHSTOP 5 技術可在更小的晶片尺寸中提供更高的功率密度。因此,英飛凌業界首創將 40 A 650V IGBT 與 40 A 二極體共同置於 D2PAK 外殼中。相較於其他採用 D2PAK 的產品,新系列產品提供更高的額定值,優於市面上任何其他產品,且其他共同封裝解決方案僅提供 75% 的功率。
...
...

使用者別 新聞閱讀限制 文章閱讀限制 出版品優惠
一般使用者 10則/每30天 0則/每30天 付費下載
VIP會員 無限制 25則/每30天 付費下載

Card Image

PIC32-BZ6:新一代高度整合單晶片無線平臺

隨著智慧設備的射頻(RF)設計複雜性日益增加,傳統無線解決方案通常需要多晶片組合才能新增功能,或頻繁重新設計才能滿足不斷升級的行業標準。為此,Microchip推出全新高度整…

隨著智慧設備的射頻(RF)設計複雜性日益增加,傳統無線解決方案…