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ST攜手MACOM 達成射頻矽基氮化鎵原型晶片性能新里程 (2022.06.14)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功製造出射頻矽基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半導體與MACOM將繼續合作，並加強雙方的合作關係。
射頻矽基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來巨大的發展潛力 |
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ST攜手MACOM 達成射頻矽基氮化鎵原型晶片性能新里程 (2022.06.14)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功製造出射頻矽基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半導體與MACOM將繼續合作，並加強雙方的合作關係。
射頻矽基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來巨大的發展潛力 |
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Ampleon推挽整合型Doherty電晶體 Sub-6GHz頻段降低佈局 (2022.02.25)
埃賦隆半導體（Ampleon）利用先進的LDMOS電晶體技術，推出B11G3338N80D推挽式3級全整合型Doherty射頻電晶體，該電晶體是GEN11 Macro驅動器系列的載體產品，涵蓋所有Sub-6GHz頻段。
(圖一)B11G3338N80D推挽式3級全整合型Doherty射頻電晶體
這種高效的多頻段器件覆蓋3.3至3.8GHz的頻率範圍，可實現下一代大功率和具有市場領先效率的大型基地台 |
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Ampleon推挽整合型Doherty電晶體 Sub-6GHz頻段降低佈局 (2022.02.25)
埃賦隆半導體（Ampleon）利用先進的LDMOS電晶體技術，推出B11G3338N80D推挽式3級全整合型Doherty射頻電晶體，該電晶體是GEN11 Macro驅動器系列的載體產品，涵蓋所有Sub-6GHz頻段。
這種高效的多頻段器件覆蓋3.3至3.8GHz的頻率範圍，可實現下一代大功率和具有市場領先效率的大型基地台 |
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意法半導體推出新款射頻LDMOS功率電晶體 (2021.08.17)
意法半導體（STMicroelectronics）所推出的STPOWER LDMOS電晶體產品家族最近新增數款產品，該產品家族有三個不同的產品系列，皆可針對各種商用和工業用射頻功率放大器（PA）進行優化設計 |
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意法半導體推出新款射頻LDMOS功率電晶體 (2021.08.17)
意法半導體（STMicroelectronics）所推出的STPOWER LDMOS電晶體產品家族最近新增數款產品，該產品家族有三個不同的產品系列，皆可針對各種商用和工業用射頻功率放大器（PA）進行優化設計 |
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恩智浦將氮化鎵應用於5G多晶片模組 (2021.07.07)
降低能源消耗（energy consumption）為電信基礎設施的主要目標之一，其中每一點效率都至關重要。在多晶片模組中使用氮化鎵可在2.6 GHz頻率下將產品組合效率提高至 52%，比公司上一代模組高出8% |
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恩智浦將氮化鎵應用於5G多晶片模組 (2021.07.07)
降低能源消耗（energy consumption）為電信基礎設施的主要目標之一，其中每一點效率都至關重要。在多晶片模組中使用氮化鎵可在2.6 GHz頻率下將產品組合效率提高至 52%，比公司上一代模組高出8% |
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恩智浦第二代射頻多晶片模組 提升5G高頻應用45%效能 (2020.12.07)
恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）宣佈推出第二代Airfast射頻功率多晶片模組（RF Power Multi-Chip Modules），以滿足蜂窩基地台的5G mMIMO主動天線系統（active antenna systems；AAS）在頻率、功率和效率三大方面的進階要求 |
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恩智浦第二代射頻多晶片模組 提升5G高頻應用45%效能 (2020.12.07)
恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）宣佈推出第二代Airfast射頻功率多晶片模組（RF Power Multi-Chip Modules），以滿足蜂窩基地台的5G mMIMO主動天線系統（active antenna systems；AAS）在頻率、功率和效率三大方面的進階要求 |
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5G來臨 氮化鎵將逐步取代LDMOS (2020.03.02)
光電協進會(PIDA)指出，氮化鎵(GaN)將逐步取代基地台射頻功率放大器中的LDMOS。儘管LDMOS技術目前仍佔最大的營收部分，但為了要支撐次世代無線網路元件更高頻、更高效率，設備製造商和運營商張開雙臂的擁抱GaN元件，特別是在30 GHz至300 GHz的更高頻率5G部署（包括毫米波段） |
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5G來臨 氮化鎵將逐步取代LDMOS (2020.03.02)
光電協進會(PIDA)指出，氮化鎵(GaN)將逐步取代基地台射頻功率放大器中的LDMOS。儘管LDMOS技術目前仍佔最大的營收部分，但為了要支撐次世代無線網路元件更高頻、更高效率，設備製造商和運營商張開雙臂的擁抱GaN元件，特別是在30 GHz至300 GHz的更高頻率5G部署（包括毫米波段） |
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大功率射頻晶體管面向工業和專業射頻能量應用 (2019.01.18)
Ampleon今天宣布，面向工作在2400MHz至2500MHz頻率範圍內的脈衝和連續波(CW)應用，推出500W的BLC2425M10LS500P LDMOS射頻功率晶體管。BLC2425M10LS500P適用於各種工業、消費和專業烹飪射頻能量應用；由於它可以通過單個SOT1250空腔塑料封裝提供500W的CW，因此具有非常高的功率與封裝比 |
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大功率射頻晶體管面向工業和專業射頻能量應用 (2019.01.18)
Ampleon今天宣布，面向工作在2400MHz至2500MHz頻率範圍內的脈衝和連續波(CW)應用，推出500W的BLC2425M10LS500P LDMOS射頻功率晶體管。BLC2425M10LS500P適用於各種工業、消費和專業烹飪射頻能量應用；由於它可以通過單個SOT1250空腔塑料封裝提供500W的CW，因此具有非常高的功率與封裝比 |
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Ampleon推出小尺寸50Ω輸入/輸出250W雙級2.4GHz模組 簡化集成的複雜度 (2018.11.08)
埃賦隆半導體（Ampleon）近日宣佈推出小尺寸雙級250W LDMOS射頻功率模組BPC2425M9X2S250-1。 該高效率模組專為工作在2,400MHz至2,500MHz頻段的大功率連續波（CW）工業、科學和醫療（ISM）應用而設計，尺寸為72mm×34mm，並整合了溫度感測器（可簡化其溫度的監控）、內建散熱器的最先進的多層板，以及一流的LDMOS技術 |
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Ampleon推出小尺寸50Ω輸入/輸出250W雙級2.4GHz模組 簡化集成的複雜度 (2018.11.08)
埃賦隆半導體（Ampleon）近日宣佈推出小尺寸雙級250W LDMOS射頻功率模組BPC2425M9X2S250-1。 該高效率模組專為工作在2,400MHz至2,500MHz頻段的大功率連續波（CW）工業、科學和醫療（ISM）應用而設計，尺寸為72mm×34mm，並整合了溫度感測器（可簡化其溫度的監控）、內建散熱器的最先進的多層板，以及一流的LDMOS技術 |
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貿澤供應Qorvo QPD1025L碳化矽基氮化鎵電晶體 適合航空電子應用 (2018.05.31)
貿澤電子即日起開始供應Qorvo的QPD1025L碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 電晶體。
QPD1025在65V的運作功率達1.8 kW，為業界功率最高的碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 射頻電晶體，擁有高訊號完整度和延伸的涵蓋範圍，適合L波段航空電子和敵我識別 (IFF) 應用 |
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貿澤供應Qorvo QPD1025L碳化矽基氮化鎵電晶體 適合航空電子應用 (2018.05.31)
貿澤電子即日起開始供應Qorvo的QPD1025L碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 電晶體。
(圖一)貿澤供應Qorvo 1800W QPD1025L碳化矽基氮化鎵電晶體，適合打造航空電子相關應用。
QPD1025在65V的運作功率達1.8 kW，為業界功率最高的碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 射頻電晶體，擁有高訊號完整度和延伸的涵蓋範圍，適合L波段航空電子和敵我識別 (IFF) 應用 |
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200W LDMOS輸入/輸出匹配放大器模組加速433MHz系統開發 (2018.04.11)
埃賦隆半導體（Ampleon）推出基於200W BPC10M6X2S200 LDMOS的功率放大器模組——該模組適用於各種電漿照明、工業加熱、醫療、射頻烹飪和除霜應用。這款小巧輕便的pallet，其工作頻率範圍為423MHz至443MHz，尺寸僅為125mm×33mm，重量為85g，並可在脈衝波和連續波模式下工作 |
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200W LDMOS輸入/輸出匹配放大器模組加速433MHz系統開發 (2018.04.11)
埃賦隆半導體（Ampleon）推出基於200W BPC10M6X2S200 LDMOS的功率放大器模組——該模組適用於各種電漿照明、工業加熱、醫療、射頻烹飪和除霜應用。這款小巧輕便的pallet，其工作頻率範圍為423MHz至443MHz，尺寸僅為125mm×33mm，重量為85g，並可在脈衝波和連續波模式下工作 |
