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英飛凌與西門子合作 以碳化矽技術賦能資料中心及工廠電氣保護 (2026.06.11)
英飛凌科技與西門子開展合作，共同提升資料中心、生產設施及電池儲能系統的電氣保護水準，保障運行可靠性。合作內容包括英飛凌將向西門子供應碳化矽（SiC）功率模組，用於西門子的SENTRON 3QD2半導體斷路器 |
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GaN與SiC如何解開AI能源封印？ (2026.06.10)
在AI這個由矽晶片與光纖交織成的虛擬未來裡，人類文明的瘋狂演進，最終依賴的依然是我們管理電子的能力。每一分轉換效率的提升，每一微秒的故障隔離，背後都是無數工程師與半導體材料的生死搏鬥 |
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格棋化合物半導體榮獲第22屆台灣金根獎 (2026.06.10)
台灣碳化矽（SiC）材料廠格棋化合物半導體獲第22屆台灣金根獎肯定。台灣金根獎以「深耕台灣、佈局全球」為核心精神，表揚以台灣為營運根基、具備國際市場拓展能力與產業競爭力的企業 |
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ROHM SiC MOSFET應用於HVDC化加速發展的AI伺服器電源BBU (2026.06.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）的750V耐壓SiC MOSFET已被應用於AI伺服器電源BBU（備用電池單元）中。隨著生成式AI的普及，AI伺服器電源正加速朝向更高壓及HVDC（高壓直流供電）架構演進，在此背景下，ROHM的SiC MOSFET產品被選定為支援次世代電源系統的SiC功率元件 |
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Power Integrations超薄型PSU設計 適用於800VDC AI資料中心 (2026.06.01)
在COMPUTEX 2026前夕，高壓能效電源轉換整合晶片商Power Integrations今（1）日推出兩款專為800VDC AI資料中心打造的新款超薄緊湊型輔助電源供應器（PSU）參考設計，首度採用高度整合、耐1700V額定電壓的PowiGaN單一HEMT IC，強調可節省空間、簡化系統架構、提升可靠性並減少BOM零件數，實現最高達88%效率 |
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Microchip 推出 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模組，支援 AI 資料中心固態變壓器應用 (2026.05.28)
Microchip Technology今日宣布推出全新 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模組，專為加速 AI 超大規模資料中心與其他高電壓電力應用導入固態變壓器（Solid-State Transformer, SST）而設計。新模組於業界標準 62 mm 封裝中整合 3.3 kV 碳化矽（SiC）mSiC MOSFET 與蕭特基二極體，可實現從中壓電網直接向伺服器機櫃提供高效率電力傳輸 |
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2026.6月第415期AI時代關鍵驅動力48V (2026.05.20)
當一顆AI晶片的功耗衝破千瓦（Watt），當一座資料中心的耗電量足以供應一座中型城市，傳統的電力架構已然崩解。這不再只是「插上插頭」那麼簡單。
這是一場關於48V電壓轉型、液冷整合與極限能源效率的革命 |
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ROHM開發出第5代SiC MOSFET，高溫下導通電阻可降低約30%！ (2026.05.19)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出全新一代EcoSiC—「第5世代SiC MOSFET」，非常適用於xEV（電動車）牽引逆變器*等汽車電動動力總成系統，以及AI伺服器電源和資料中心等工業設備電源 |
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ROHM PLECS Simulator上線！實現電力電子電路的快速驗證 (2026.05.19)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）在官網上發佈了根據模擬軟體PLECS*開發的模擬工具「ROHM PLECS Simulator」， 該工具可在線上高速模擬ROHM功率元件的工作情況，非常適合電力電子電路的設計人員和系統設計人員使用 |
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德州儀器：AI算力物理限制已到 800V高壓直流供電成唯一解方 (2026.05.19)
德州儀器（TI）美國總部算力技術專家 Pradeep S. Shenoy 在受訪時直言，AI 晶片對電力的索求正以驚人的幾何級數飆升。 |
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國科會核准5案進駐科學園區 投資7.9億元布局SiC與AI設計服務 (2026.05.11)
國科會於第32次園區審議會中核准5案進駐科學園區，總投資金額達新臺幣7.9億元。本次核准案涵蓋綠能環保、第三代半導體及ASIC設計服務，顯見科學園區持續吸引高階技術投資，完善臺灣高科技產業鏈布局，並對接全球淨零碳排趨勢與AI運算需求 |
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2026 ASMC半導體製造會議開幕 聚焦Glass4Chips與離子注入 (2026.05.11)
「ASMC 2026（Advanced Semiconductor Manufacturing Conference）」在紐約州正式揭幕。本屆會議匯集了英飛凌（Infineon）、意法半導體（STMicroelectronics）及應用材料（Applied Materials）等龍頭，核心焦點在於透過創新材料與優化設備解決3奈米以下製程的量產挑戰 |
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定義兆瓦級AI工廠 英飛凌以固態電力技術 驅動直流微電網革命 (2026.04.30)
在代理式AI發展如火如荼的新時代，全球對算力的需求正以倍速增加，這股力量也直接拉升了資料中心的能耗基準，傳統的電力架構已難以支撐未來的AI算力需求。
英飛凌（Infineon）的技術專家們一致指出：要解開這場能源枷鎖 |
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安森美與吉利汽車深化戰略合作 發展900V整車架構 (2026.04.28)
安森美（onsemi）與吉利汽車集團雙方已達成更廣泛的全球戰略合作，旨在加速下一代純電動及混合動力汽車的開發。 此次合作將進一步深化安森美先進碳化矽（SiC）技術在吉利整車平臺中的系統級整合，推動更高效、更快速的電動車研發進程 |
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博世推升半導體效率再躍進 第三代SiC晶片強調科技優勢與經濟效益 (2026.04.25)
如今碳化矽（silicon carbide, SiC）晶片已是提升電動車效率，並延長續航里程的關鍵，博世正積極布局這個高速成長的市場，不僅正式推出第三代SiC晶片，並開始向全球汽車製造商提供樣品、擴大產能，期盼獲得越來越多電動車採用 |
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先進製造佈局 半導體與工具機的共生演進 (2026.04.08)
隨著2026年生成式AI正式由雲端大模型（Cloud AI）轉向更具即時性、隱私性的地端代理人（Agent AI）與物理人工智慧（Physical AI），全球對於算力的定義正在發生質變。 |
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定義先進工法新價值 工具機布局AI Ready (2026.04.08)
延續今年自NVIDIA創辦人黃仁勳在GTC大會提出「AI五層蛋糕論」之後，構建了包含：能源、基礎設施、晶片、模型及應用等層面，形成完整的AI生態系。 |
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Microchip 發表 BZPACK mSiC 功率模組，專為嚴苛環境中的高要求應用而設計 (2026.04.02)
Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模組，專為符合嚴格的高濕度、高電壓、高溫反向偏壓（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias, HV-H3TRB）標準而設計。BZPACK 模組可提供卓越的可靠性、簡化製造流程，並為最嚴苛的電力轉換環境提供多樣化的系統整合選項 |
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Microchip 發表 BZPACK mSiC 功率模組，專為嚴苛環境中的高要求應用而設計 (2026.04.02)
Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模組，專為符合嚴格的高濕度、高電壓、高溫反向偏壓（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias, HV-H3TRB）標準而設計。BZPACK 模組可提供卓越的可靠性、簡化製造流程，並為最嚴苛的電力轉換環境提供多樣化的系統整合選項 |
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英飛凌推出超低雜訊XENSIV TLE4978混合式霍爾與線圈電流感測器， 為新一代電力系統提供助力 (2026.04.02)
全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出TLE4978系列無芯隔離式磁電流感測器，進一步擴展其XENSIV感測器產品組合 |
