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	英飞凌与西门子合作以碳化矽技术赋能资料中心及工厂电气保护 (2026.06.11) 英飞凌科技与西门子开展合作，共同提升资料中心、生产设施及电池储能系统的电气保护水准，保障运行可靠性。合作内容包括英飞凌将向西门子供应碳化矽（SiC）功率模组，用於西门子的SENTRON 3QD2半导体断路器
	GaN与SiC如何解开AI能源封印？ (2026.06.10) 在AI这个由矽晶片与光纤交织成的虚拟未来里，人类文明的疯狂演进，最终依赖的依然是我们管理电子的能力。每一分转换效率的提升，每一微秒的故障隔离，背後都是无数工程师与半导体材料的生死搏斗
	格棋化合物半导体荣获第22届台湾金根奖 (2026.06.10) 台湾碳化矽（SiC）材料厂格棋化合物半导体获第22届台湾金根奖肯定。台湾金根奖以「深耕台湾、布局全球」为核心精神，表扬以台湾为营运根基、具备国际市场拓展能力与产业竞争力的企业
	ROHM SiC MOSFET应用於HVDC化加速发展的AI伺服器电源BBU (2026.06.09) 半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）的750V耐压SiC MOSFET已被应用於AI伺服器电源BBU（备用电池单元）中。随着生成式AI的普及，AI伺服器电源正加速朝向更高压及HVDC（高压直流供电）架构演进，在此背景下，ROHM的SiC MOSFET产品被选定为支援次世代电源系统的SiC功率元件
	Power Integrations超薄型PSU设计适用於800VDC AI资料中心 (2026.06.01) 在COMPUTEX 2026前夕，高压能效电源转换整合晶片商Power Integrations今（1）日推出两款专为800VDC AI资料中心打造的新款超薄紧凑型辅助电源供应器（PSU）叁考设计，首度采用高度整合、耐1700V额定电压的PowiGaN单一HEMT IC，强调可节省空间、简化系统架构、提升可靠性并减少BOM零件数，实现最高达88%效率
	Microchip 推出 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模组，支援 AI 资料中心固态变压器应用 (2026.05.28) Microchip Technology今日宣布推出全新 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模组，专为加速 AI 超大规模资料中心与其他高电压电力应用导入固态变压器（Solid-State Transformer, SST）而设计。新模组於业界标准 62 mm 封装中整合 3.3 kV 碳化矽（SiC）mSiC MOSFET 与萧特基二极体，可实现从中压电网直接向伺服器机柜提供高效率电力传输
	零组件预告即将出刊2026.6月:AI时代关键驱动力 (2026.05.20)
	ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！ (2026.05.19) 半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）开发出全新一代EcoSiC「第5世代SiC MOSFET」，非常适用於xEV（电动车）牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统，以及AI伺服器电源和资料中心等工业设备电源
	ROHM PLECS Simulator上线！实现电力电子电路的快速验证 (2026.05.19) 半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）在官网上发布了根据模拟软体PLECS*开发的模拟工具「ROHM PLECS Simulator」，该工具可在线上高速模拟ROHM功率元件的工作情况，非常适合电力电子电路的设计人员和系统设计人员使用
	德州仪器：AI算力物理限制已到 800V高压直流供电成唯一解方 (2026.05.19) 德州仪器（TI）美国总部算力技术专家 Pradeep S. Shenoy 在受访时直言，AI 晶片对电力的索求正以惊人的几何级数??升。
	国科会核准5案进驻科学园区投资7.9亿元布局SiC与AI设计服务 (2026.05.11) 国科会於第32次园区审议会中核准5案进驻科学园区，总投资金额达新台币7.9亿元。本次核准案涵盖绿能环保、第三代半导体及ASIC设计服务，显见科学园区持续吸引高阶技术投资，完善台湾高科技产业链布局，并对接全球净零碳排趋势与AI运算需求
	2026 ASMC半导体制造会议开幕聚焦Glass4Chips与离子注入 (2026.05.11) 「ASMC 2026（Advanced Semiconductor Manufacturing Conference）」在纽约州正式揭幕。本届会议汇集了英飞凌（Infineon）、意法半导体（STMicroelectronics）及应用材料（Applied Materials）等龙头，核心焦点在於透过创新材料与优化设备解决3奈米以下制程的量产挑战
	定义兆瓦级AI工厂英飞凌以固态电力技术驱动直流微电网革命 (2026.04.30) 在代理式AI发展如火如荼的新时代，全球对算力的需求正以倍速增加，这股力量也直接拉升了资料中心的能耗基准，传统的电力架构已难以支撑未来的AI算力需求。英飞凌（Infineon）的技术专家们一致指出：要解开这场能源??锁
	安森美与吉利汽车深化战略合作发展900V整车架构 (2026.04.28) 安森美（onsemi）与吉利汽车集团双方已达成更广泛的全球战略合作，旨在加速下一代纯电动及混合动力汽车的开发。此次合作将进一步深化安森美先进碳化矽（SiC）技术在吉利整车平台中的系统级整合，推动更高效、更快速的电动车研发进程
	博世推升半导体效率再跃进第三代SiC晶片强调科技优势与经济效益 (2026.04.25) 如今碳化矽（silicon carbide, SiC）晶片已是提升电动车效率，并延长续航里程的关键，博世正积极布局这个高速成长的市场，不仅正式推出第三代SiC晶片，并开始向全球汽车制造商提供样品、扩大产能，期盼获得越来越多电动车采用
	先进制造布局半导体与工具机的共生演进 (2026.04.08) 随着2026年生成式AI正式由云端大模型（Cloud AI）转向更具即时性、隐私性的地端代理人（Agent AI）与物理人工智慧（Physical AI），全球对於算力的定义正在发生质变。
	定义先进工法新价值工具机布局AI Ready (2026.04.08) 延续今年自NVIDIA创办人黄仁勋在GTC大会提出「AI五层蛋糕论」之後，构建了包含：能源、基础设施、晶片、模型及应用等层面，形成完整的AI生态系。
	Microchip 发表 BZPACK mSiC 功率模组，专为严苛环境中的高要求应用而设计 (2026.04.02) Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模组，专为符合严格的高湿度、高电压、高温反向偏压（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias, HV-H3TRB）标准而设计。BZPACK 模组可提供卓越的可靠性、简化制造流程，并为最严苛的电力转换环境提供多样化的系统整合选项
	Microchip 发表 BZPACK mSiC 功率模组，专为严苛环境中的高要求应用而设计 (2026.04.02) Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模组，专为符合严格的高湿度、高电压、高温反向偏压（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias, HV-H3TRB）标准而设计。BZPACK 模组可提供卓越的可靠性、简化制造流程，并为最严苛的电力转换环境提供多样化的系统整合选项
	英飞凌推出超低杂讯XENSIV TLE4978混合式霍尔与线圈电流感测器，为新一代电力系统提供助力 (2026.04.02) 全球电源系统和物联网领域半导体领导者英飞凌科技股份有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出TLE4978系列无芯隔离式磁电流感测器，进一步扩展其XENSIV感测器产品组合

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