Littelfuse新一代TMR磁性开关瞄准低功耗与小型化应用

工业与电子元件供应商Littelfuse推出两款新一代全极磁性开关LF21173TMR与LF21177TMR，采用隧道磁阻（TMR）与CMOS整合技术，封装形式为紧凑的LGA4，主要锁定电池供电与空间受限的应用场景。

图一 : Littelfuse推出新一代TMR磁性开关

Littelfuse指出，这两款元件的工作电压范围为1.8V至5.5V，支援不同磁??值设定，使其较容易导入多样化系统设计。目标应用涵盖智慧电表、电子锁、医疗设备及可携式消费性电子产品。相较於传统霍尔效应开关，TMR元件在低电流条件下可提供较高的磁灵敏度，有助於降低整体功耗并支援更小型化的产品设计。

在技术层面上，TMR与霍尔效应的运作原理不同。霍尔感测器依赖磁通量产生电压，而TMR则是透过磁隧道结的电阻变化来感测磁场，使其能在较低电流下维持稳定输出，并具备较隹的热稳定性，适合对功耗敏感的系统。
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