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英飞凌碳化矽功率半导体成功应用於丰田 bZ4X 新车款
 

【作者: Jason Liu】2026年03月03日 星期二

浏览人次:【1356】

英飞凌科技股份有限公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日宣布,全球最大汽车制造商丰田 (TOYOTA) 已在其新款车型bZ4X中采用了英飞凌CoolSiC MOSFET(碳化矽功率MOSFET)产品。这款碳化矽MOSFET整合在车载充电器(OBC)和DC/DC转换器中,利用碳化矽材料低损耗、耐高温、耐高压的特性和优势,能够有效延长电动汽车的续航里程并缩短充电时间。


图一
图一

英飞凌执行??总裁暨汽车业务行销长Peter Schaefer表示:「全球最大的汽车制造商之一丰田选用了英飞凌的CoolSiC技术,对此我们深感自豪。碳化矽能够有效提升电动汽车的续航能力、效率和性能,因此也将在塑造未来交通出行的过程中发挥重要作用。英飞凌矢志创新,承诺零缺陷 (zero-defect) 品质,已做好充分准备,蓄势待发,以应对电动交通出行领域功率电子需求的快速增长。」


英飞凌CoolSiC MOSFET采用独特的沟槽闸极结构,可降低常规化 (normalized) 的导通电阻并缩减晶片尺寸,有效减少导通和开关损耗,进而提升车载电源系统的效率。此外,经过优化的寄生电容和闸极??值电压支援单极闸极驱动,不仅有助於简化汽车电驱系统的驱动电路设计,也能为车载充电器和DC/DC转换器实现高密度、高可靠性的设计提供支援。
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