KLA-Tencor：7奈米以下制程需有效降低显影成型误差

7纳米制程节点将是半导体厂推进摩尔定律（Moore’s Law）的下一重要关卡。半导体进入7纳米节点後，制程将面临更严峻的挑战， 不仅要克服晶圆刻蚀方面、热、静电放电和电磁干扰等物理效应，同时要让信号通过狭小的线也需要更大的电力，这让晶片设计，检查和测试更难。

图一 : KLA-Tencor公司行销长暨资深??总 Oreste Donzella

KLA-Tencor针对7奈米以下的逻辑和尖端记忆体设计节点推出了五款显影成型控制系统，以帮助晶片制造商实现多重曝光技术和EUV微影所需的严格制程公差。在IC制造厂内，ATL叠对量测系统和SpectraFilm F1薄膜量测系统可以针对finFET、DRAM、3D NAND和其他复杂元件结构的制造提供制程表徵分析和偏移监控。 Teron 640e光罩检测产品系列和LMS IPRO7光罩叠对位准量测系统可以协助光罩厂开发和监定EUV和先进的光学光罩。 5DAnalyzer X1高级资料分析系统提供开放架构的基础，以支持晶圆厂量身定制的分析和实时制程控制的应用。这五款新系统拓展了KLA-Tencor的多元化量测、检测和资料分析的系统组合，从而可以从根源上对制程变化进行识别和纠正。

对於7奈米和5奈米设计节点，晶片制造商在生产中找到叠对误差，线宽尺寸不均和热点（hotspot）的根本起因变得越来越困难。KLA-Tencor公司行销长暨资深??总Oreste Donzella表示，除了曝光机的校正之外，客户也在了解不同的光罩和晶圆制程步骤变化是如何影响显影成型的。透过提供全制造厂范围的开放式量测和检测资料，IC工程师可以对制程问题迅速定位，并且在其发生的位置直接进行管理。我们的系统，例如今天推出的五款系统，让客户能够降低由每个晶圆、光罩和制程步骤所导致的显影成型误差。
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