台灣應用材料推出原子層沉積技術

應用材料公司宣佈推出第一套「原子層沉積」（ALD：Atomic Layer Deposition）反應室，可在低溫度範圍下沉積薄而均勻的純淨薄膜；原子層沉積反應室能同時支援多種薄膜材料，包括金屬與介電質薄膜。應用材料公司已將原子層沉積技術應用在先進接觸層的鎢金屬成核層，以及可做為「線層」（liner）或是「五氧化二鉭」（Tantalum Pentoxide）電容器的電極的原子層沉積氮化鈦薄膜。

應用材料公司副總裁暨化學氣相沉積與原子層沉積金屬導線系統事業群總經理莫利斯‧柯瑞（Moris Kori）博士表示：「新推出的原子層沉積技術採用多種突破性的設計，將可提供經濟實用的晶片製造能力，支援即將到來的100nm晶片世代，並具備良好的擴充性，涵蓋未來更精密的元件。同時我們已與多家客戶共同合作，將原子層沉積製程導入300mm晶圓廠，並針對其它主要的化學氣相沉積薄膜應用，繼續發展這套技術。」

原子層沉積技術可在晶圓表面一層一層的沉積原子或分子。由於晶片的微電路結構越來越小，也越來越深，已達到100nm的精密度，因此傳統的鎢沉積技術，很難有效的填充這些電路結構。應用材料的原子層沉積方法將能支援奈米元件，並針對長寬比大於20：1的電路結構，提供均勻且無縫隙氣泡的填充能力。此外，原子層沉積技術所須的溫度遠低於其它的化學氣相沉積製程，可大幅減少晶圓承受的溫度，同時能沉積出均勻完美無缺陷的「奈米結晶體」（nano-crystalline）結構，將適用於晶片的阻障層及成核層。
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