ASM研發提升45nm High-k製程1倍產量的ALD技術

ASM日前宣佈，其已成功開發出一種高速原子層沈積製程，能夠為45nm high-K 閘極製程提升一倍氧化鉿(HfO2) 薄膜的產量，進而延伸在關鍵原子層沉積(ALD)市場的領導地位。

新的高速ALD製程是專門設計在ASM的Pulsar製程模組上運作，並可使用既有的反應爐設備設計透過專利的製程最適化技術達成產能的提升。目前新的製程已經在多家客戶的製造環境中實際運作，並且能在不對薄膜和裝置效能產生負面衝擊的前提下，提升超過一倍的沉積率。這個製程同樣也能在32nm製程節點實施，並對產能帶來同樣的效益。

ASM電晶體產品部門產品經理Glen Wilk表示，ALD製程能夠提供絕佳的流程控制，以及薄膜的一致性和純度。由於沉積率可以增加一倍以上，因此在32 nm 閘極電介質所能達成的產量已經可和MOCVD沉積法相當，但同時又可以維持ALD層的品質。Pulsar ALD 反應爐是業界在生產鉿基high-k閘極電介質方面的翹楚，而這項產能提升的成果將讓我們在22nm以上的領域也取得領導地位。