5G來臨 氮化鎵將逐步取代LDMOS

光電協進會(PIDA)指出，氮化鎵(GaN)將逐步取代基地台射頻功率放大器中的LDMOS。儘管LDMOS技術目前仍佔最大的營收部分，但為了要支撐次世代無線網路元件更高頻、更高效率，設備製造商和運營商張開雙臂的擁抱GaN元件，特別是在30 GHz至300 GHz的更高頻率5G部署（包括毫米波段）。

光電協進會林政賢產業分析師表示，根據Strategy Analytics市場預測，RF GaN元件在2018年至2023年的營收增長了22％，將會在2023年超過17億美元。這種快速增長的動力來自4G基地台部署普及和電信基地台升級，以及國防、雷達、衛星通訊應用上取代LDMOS元件。林政賢認為，LDMOS可能在兩年，甚至三年內仍將是基地台最大的電源技術，在未來小於6GHz頻率與高頻毫米波的5G頻譜組合，GaN市場將更加顯著。

隨著功率及射頻元件發展趨勢，GaN部署的態勢逐漸明朗，全球各家廠商都已開始往GaN材料做研發與專利佈局，諸如科銳(Cree)、住友電工（Sumitomo Electric）、英特爾（Intel）等爭搶次世代科技專利主導權。台灣方面的砷化鎵(GaAs)廠商亦開始看重並轉進投資GaN 晶圓製造、封裝測試，諸如:台積電已提供6吋 GaN-on-Si 晶圓代工服務；嘉晶6 吋GaN-on-Si 磊晶矽晶圓，已進入國際IDM廠認證階段；穩懋6吋GaN-on-SiC 晶圓代工服務，瞄準高功率PA 及天線等地應用，台廠在全球半導體產業鏈上中游占據重要地位。
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