ROHM推出100V耐壓SBD「YQ系列」 採用溝槽MOS結構

半導體製造商ROHM針對車載設備、工業設備、消費性電子設備等電源電路和保護電路，推出業界最高等級trr的100V耐壓蕭特基二極體（SBD）「YQ系列」。

圖一 : ROHM新款100V耐壓SBD「YQ系列」 採用溝槽MOS結構，兼顧VF和IR得以顯著改善效能，適用於汽車LED頭燈等高速開關應用。

二極體的種類有很多，其中高效率SBD被廣泛用於各種應用。尤其是溝槽MOS結構的SBD，其VF低於平面結構的SBD，因此可以在整流等應用中提高效率。而普通溝槽MOS結構的產品，其trr比平面結構的差，因此在用於開關應用時出現了功率損耗增加的課題。針對此種課題，ROHM推出採用獨家溝槽MOS結構、同時改善了難以兼顧的VF和IR、實現了業界最高等級trr的YQ系列產品。

繼支援各種電路應用的4個SBD系列產品後推出的新「YQ系列」，也是ROHM首款採用溝槽MOS結構的二極體。該系列利用ROHM獨家結構設計，實現業界最高等級trr（15ns），與同樣採用溝槽MOS結構的市場競品相比，trr單項的損耗降低約37%，總開關損耗降低約26%，有助於降低應用產品功耗。
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