英飛凌推出新一代氮化鎵功率分立元件

最新一代CoolGaN電晶體實現了現有平台的快速重新設計。新元件改進了性能指標，確保為重點應用帶來具有競爭力的切換性能。與主要同類產品和英飛凌之前的產品系列相比，CoolGaN 650 V G5電晶體輸出電容中儲存的能量（E_oss）降低了多達50%，漏源電荷（Q_oss）和閘極電荷（Q_g）均減少了多達 60%。憑藉這些特性，新元件在硬切換和軟切換應用中都具有出色的效率。與傳統的半導體技術相比，其功率損耗大幅降低，根據具體使用情況可降低 20%-60%。

圖一 : 預測到2029年，GaN功率市場規模將達到20億美元

該新產品系列的適用範圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、資料中心、電信整流器等消費和工業交換式電源（SMPS）、再生能源，以及家用電器中的馬達驅動器。

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