Soitec与ASM International N.V.宣布在应变绝缘硅(sSOI)的合作计划上达成一项重要的里程碑，此项合作计划成功在65奈米环境试产第一代应变硅晶圆。Soitec与ASM自今年5月起开始合作，此项计划目前着重于微调sSOI制程以达基板效能优化，提高生产力及成本效率，进而加快完全商业化8吋应变SOI晶圆及最终12吋晶圆产品的上市时程。Soitec新系列应变SOI基板的第一款产品包含提供应变硅层植生的绝缘硅锗(SGOI)样板基板。这些SGOI晶圆是针对部份及完全匮乏应用所设计，能够协助半导体产业提升组件效能，同时缩小线宽与提升芯片密度。Soitec后续推出的新世代应变硅晶解决方案将包括锗成份更高的SGOI、无硅锗模板层的应变硅晶及锗绝缘层等，并且都将针对45奈米以下的环境进行研发。为配合磊晶模块研发时程，加速推出8吋与12吋 SGOI晶圆样本，Soitec 与ASM采 「虚拟晶圆厂」模式。双方研发团队先针对磊晶量产环境合作微调出最佳制程，再各自于双方厂房试产晶圆。此种 「虚拟晶圆厂」模式协助Soitec快速推出试产样本，缩短建置量产环境基础建设的时程。待磊晶设备完成安装，生产技术亦趋成熟后，将于Soitec位于法国Bernin的厂房，也就是目前全球最大的SOI厂开始量产 。