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廠商競逐奈米製程 NAND Flash價格再跌
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2005年01月12日 星期三

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據業界消息,NAND型快閃記憶體(Flash)價格競爭激烈,記憶體業者為降低成本,將以奈米製程全面迎戰;市場龍頭大廠三星即宣佈已成功開發出63奈米的8Gb NAND Flash生產技術。而因每片晶圓產出量將因製程微縮而增多二成至三成以上,將再進一步壓低晶片價格,三星預估NAND Flash晶片價格2005年至少要再跌四成。

據了解,三星宣示2005年將透過調降價格、拉高晶片容量等方式,擴大在NAND Flash市場佔有率,並藉此將NAND Flash市場做大。而為降低成本因應價格競爭,所以三星本季起開始導入70奈米技術生產4Gb及8Gb晶片,並宣佈成功研發出63奈米的8Gb NAND生產技術,至於東芝、美光、Hynix、英飛凌、瑞薩(Renesas)等供應商,本季起也全面性以90奈米投產NAND Flash。

而隨著投入廠商眾多與製程微縮帶來的產能提升,在市場需求成長速度不如供給量成長速度的壓力下,將再進一步壓低NAND Flash價格。目前主流2GbNAND Flash晶片現貨價約16美元,市場預估至2005年中應會跌至13美元左右,至於4Gb NAND晶片價位現在約32美元,至年中應會跌至26美元。至於三星現階段則預估,NAND均價今年至少要再跌四成。

關鍵字: 三星(Samsung快閃記憶體 
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