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TSIA:DRAM製程獎勵應維持0.18微米
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2005年10月03日 星期一

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經濟部日前正進行兩年一次「新興重要策略性產業屬於製造業及技術服務業部分獎勵辦法」之檢討,其中DRAM部份,擬將獎勵範圍修訂為「DRAM(設計以製程0.13微米以下技術)」。台灣半導體產業協會在匯集會員廠商意見後,強烈建議將獎勵範圍維持在0.18微米門檻。

現今DRAM產品設計,配合製程技術之演進,有兩種走向,一為大容量高密度標準型DRAM,如DDR/DDR II,製程採用0.13、0.11、0.09微米等,而利基型(特殊應用)DRAM,如LP SDRAM等,並不追求大容量、高密度,其製程仍採用0.18微米以下技術。不論是DDR/DDR II或是LP SDRAM,在設計上都有其深度與難度,均屬高科技產品。

不同於DRAM製造業,DRAM IC設計業(Fabless)屬專業IC設計公司,並非以製程技術之開發為主,而是以IC電路設計技術為其主要競爭核心;其供應市場系以特定型應用(Specialty DRAM)為主,必須以其設計技術提供各特定客戶規格之所需。由於其製程條件並非自我掌控,更需要以設計技術彌補可能取得製程條件差異之影響;雖目前標準型DRAM之製程已微縮至0.11um;惟特定型應用之DRAM製程微縮至一極限後,反而受到封裝條件的限制而無法適用。因此,就DRAM IC設計技術而言,維持在0.18um門檻應屬合理。

關鍵字: DRAM  TSIA  動態隨機存取記憶體 
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