半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出4in1及6in1結構的SiC塑封型模組「HSDIP20」。該系列產品非常適用於xEV（電動車）車載充電器（以下簡稱 OBC）的PFC*1和LLC*2轉換器等應用。HSDIP20的產品陣容包括750V耐壓的6款機型（BSTxxx1P4K01），和1200V耐壓的7款機型（BSTxxx2P4K01）。透過將各種大功率應用的電路所需的基本電路匯集到小型模組封裝中，可有效減少客戶端的設計工時，並有助實現OBC等應用中，電力變換電路的小型化。

ROHM推出高功率密度新型SiC模組 助力車載充電器OBC實現小型化

HSDIP20內建散熱性能優異的絕緣基板，即使大功率工作時也可有效抑制晶片的溫度升高。事實上在OBC常用的PFC電路（採用6顆SiC MOSFET）中，使用6顆頂部散熱型Discrete元件，與使用1顆6in1結構的HSDIP20模組在相同條件下進行比較後發現，HSDIP20的溫度比Discrete結構降低了約38℃（25W工作時）。上述出色的散熱性能使該產品能以極小的封裝對應大電流需求。另外與頂面散熱型Discrete元件相比，HSDIP20的電流密度達到3倍以上；與同類型DIP模組相比，電流密度高達1.4倍以上，達到業界頂級※水準。因此在上述PFC電路中，HSDIP20的安裝面積與頂面散熱型Discrete元件相比可減少約52％，非常有利實現OBC等應用中電力變換電路的小型化。

新產品已於2025年4月開始暫以每月10萬個的規模投入量產（樣品價格15,000日元/個，未稅）。前段製程的生產據點為ROHM Apollo CO., LTD.（日本福岡縣築後工廠）和LAPIS半導體宮崎工廠（日本宮崎縣），後段製程的生產據點為ROHM Integrated Systems（Thailand）Co., Ltd.（泰國）。