外电消息报导，中国科学研究院日前表示，已成功开发出第一片使用8吋晶圆的SOI芯片，该芯片的研发成功，意味着中国的芯片生产技术更往前迈进了一个里程碑。

据报导，中国科学研究院上海微系统与信息技术研究所，突破了清洗、键合（Bonding）、研磨和抛光等关键技术。利用改造现有的设备，实现了在8吋硅晶圆的旋转式单片清洗，并自行设计开发了大尺寸芯片键合平台，并在此平台上实现了8吋芯片键合。

由于8吋SOI晶圆的开发成功，该单位也掌握了大尺寸键合SOI芯片制造的关键技术，为未来大尺寸键合SOI芯片的发展奠定了基础。

SOI为Silicon On Insulator的简称，最早为IBM所开发，并用于MAC计算机的PowerPC G4处理器上。所谓SOI是绝缘体的意思，原理是在硅晶体管之间，加入绝缘体物质，使两者之间的寄生电容比原来的少上一倍。优点是可以较易提升频率，并减少电流漏电。