據外電報導,瑞典艾波比集團(ABB Group)和英國戴比爾斯工業鑽石公司(DeBeers Industrial),日前共同發表了利用調整後的化學氣相沈積法(CVD),製造高純度鑽石薄片的最新技術。晶片製造商已經可以使用CVD來壓縮比頭髮切面還薄的矽和二氧化矽薄片。
據報導,鑽石在理論上是許多種微型電路的理想材料,因為其結合了某些較罕見的半導體所需元素特性,如亞砷酸鎵和矽鍺。而這些所謂的複合半導體可用在特殊的設備上,如必須承受太陽輻射的衛星晶片,以及在非常高頻率環境中操作的電信系統晶片。
然而,合成鑽石薄片雖然問世多年,純度卻一直是個問題。矽是目前所知純度最高的元素,高達99.999999999%,而任何純度少於9個9的元素都不適合製造晶片,而由碳在極端高壓下形成的鑽石,一直到現在都達不到純度標準。
英國劍橋大學電子工程教授阿瑪拉塔加表示,艾波比集團和戴比爾斯所製造出的鑽石薄片,根據實驗室的分析顯示純度極高,有可能為半導體科技劃下另一道分水嶺。
阿瑪拉塔加表示,該這項技術突破有很大的潛能,理論上,鑽石晶片上的電晶體體積能比矽晶片上最小的體積還小,且因為鑽石是最佳的導熱體,對於半導體產業來說,將是未來的最佳材料。