帳號:
密碼:
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
5G來臨 氮化鎵將逐步取代LDMOS
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 報導】   2020年03月02日 星期一

瀏覽人次:【2412】
  

光電協進會(PIDA)指出,氮化鎵(GaN)將逐步取代基地台射頻功率放大器中的LDMOS。儘管LDMOS技術目前仍佔最大的營收部分,但為了要支撐次世代無線網路元件更高頻、更高效率,設備製造商和運營商張開雙臂的擁抱GaN元件,特別是在30 GHz至300 GHz的更高頻率5G部署(包括毫米波段)。

光電協進會林政賢產業分析師表示,根據Strategy Analytics市場預測,RF GaN元件在2018年至2023年的營收增長了22%,將會在2023年超過17億美元。這種快速增長的動力來自4G基地台部署普及和電信基地台升級,以及國防、雷達、衛星通訊應用上取代LDMOS元件。林政賢認為,LDMOS可能在兩年,甚至三年內仍將是基地台最大的電源技術,在未來小於6GHz頻率與高頻毫米波的5G頻譜組合,GaN市場將更加顯著。

隨著功率及射頻元件發展趨勢,GaN部署的態勢逐漸明朗,全球各家廠商都已開始往GaN材料做研發與專利佈局,諸如科銳(Cree)、住友電工(Sumitomo Electric)、英特爾(Intel)等爭搶次世代科技專利主導權。台灣方面的砷化鎵(GaAs)廠商亦開始看重並轉進投資GaN 晶圓製造、封裝測試,諸如:台積電已提供6吋 GaN-on-Si 晶圓代工服務;嘉晶6 吋GaN-on-Si 磊晶矽晶圓,已進入國際IDM廠認證階段;穩懋6吋GaN-on-SiC 晶圓代工服務,瞄準高功率PA 及天線等地應用,台廠在全球半導體產業鏈上中游占據重要地位。

台積電就在2月宣布和意法半導體共同合作氮化鎵製程技術的研發,希望加速分離式與整合式氮化鎵元件產品導入市場。世界先進和Qromis共同合作開發8 吋GaN-on-QST,預估今年會有小量送樣的進度。在功率產品上,小米本月在發布會宣布推出導入GaN 技術的65W快充插頭,GaN晶片是由納微半導體 (Navitas),只需45分鐘就可為小米10 Pro手機充滿電。

關鍵字: PIDA 
相關新聞
PIDA:光收發模組歐美業務重啟 Q4可望恢復如常
因應中國競爭 美眾議院要求政府對量子科技進行全面調查
穩定性提升 鈣鈦礦太陽能電池應用更寬廣
運用鈣鈦礦光敏奈米線技術 成功模擬人類視網膜
400G光模組標準確立 未來發展可期
comments powered by Disqus
相關討論
  相關新品
mbed
原廠/品牌:RS
供應商:RS
產品類別:PC Board
Arduino
原廠/品牌:RS
供應商:RS
產品類別:PC Board
Raspberry Pi
原廠/品牌:RS
供應商:RS
產品類別:PC Board
  相關產品
» 備戰5G 儒卓力供應Telit的LTE Cat. M1/NB2模組
» ADI推出RS485+整合隔離式電源收發器 簡化PCB佈局助縮短設計時間
» HOLTEK推出HT66F3185 A/D MCU with EEPROM
» Vicor PI3741 DC-DC 電源轉換模組讓旅行電動自行車行更遠
» ST推出下一代車用電子鑰匙NFC讀寫器IC
  相關文章
» 深入了解即時乙太網路
» 植物照明設備的安全新標準
» 5G服務加緊腳步 毫米波頻段競賽越演越烈
» 網路邊緣之嵌入式視覺處理:Crosslink-NX
» 智慧溫室種期最佳化管理系統
  相關資源
» Power Management Solutions for Altera FPGAs

AD


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2020 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw