外電消息報導，中國科學研究院日前表示，已成功開發出第一片使用8吋晶圓的SOI晶片，該晶片的研發成功，意味著中國的晶片生產技術更往前邁進了一個里程碑。

據報導，中國科學研究院上海微系統與資訊技術研究所，突破了清洗、鍵合（Bonding）、研磨和拋光等關鍵技術。利用改造現有的設備，實現了在8吋矽晶圓的旋轉式單片清洗，並自行設計開發了大尺寸晶片鍵合平台，並在此平台上實現了8吋晶片鍵合。

由於8吋SOI晶圓的開發成功，該單位也掌握了大尺寸鍵合SOI晶片製造的關鍵技術，為未來大尺寸鍵合SOI晶片的發展奠定了基礎。

SOI為Silicon On Insulator的簡稱，最早為IBM所開發，並用於MAC電腦的PowerPC G4處理器上。所謂SOI是絕緣體的意思，原理是在矽電晶體之間，加入絕緣體物質，使兩者之間的寄生電容比原來的少上一倍。優點是可以較易提升時脈，並減少電流漏電。