台灣積體電路製造公司於日前假美國矽谷舉辦2002技術研討會，於會中除了向近二千名客戶介紹該公司之技術及服務的進展，同時正式宣佈將該公司提供給半導體業界下一世代系統單晶片技術命名為Nexsys技術平台，並且已開始提供此項新世代技術的IC設計準則及IC電路模擬軟體模型(SPICE模型)供客戶使用。台積公司的Nexsys技術平台包括了設計環境、矽智財以及標準元件資料庫，預計將於今年第三季開始以90奈米製程為客戶生產八吋晶圓產品，並於明年第一季開始提供十二吋晶圓生產服務。

台積公司全球市場暨行銷資深副總經理金聯舫表示，台積公司的Nexsys技術平台首先以90奈米製程技術提供客戶系統單晶片(SoC)解決方案，目前已與多家世界級整合元件製造商及無晶圓廠專業設計公司中的領導廠商結盟，共同整合了基礎的IC設計準則(design rules)以及電性和電晶體參數(electrical and transistor parameters)。台積公司的Nexsys技術平台具有高密度、高效能以及產品迅速上市等方面的優勢，預期能協助客戶加速開發新的產品及應用，並為積體電路市場帶來一個全新的面貌。

在90奈米製程技術世代，客戶在進行設計時能將數百萬個邏輯閘(logic gates)放入單一一個晶片中，並且能夠將具有不同功能的組塊與此晶片結合在一起，而成為一顆系統單晶片。這些組塊可以是混合訊號、嵌入式高密度記憶體或嵌入式快閃記憶體。台積公司的90奈米製程技術已涵蓋多樣製程技術，可以滿足SoC廣泛的應用需求，其中包括了基礎核心製程技術(CLN90G)、高速製程技術(CLN90HS)以及低耗功率製程技術(CLN90LP)等，其應用範圍可適用於電腦、繪圖、消費性產品、網路及無線產品，能夠支援高達數十億赫茲(Gigahertz)運轉速度的高速製程技術，以及高效能類比產品如高頻網路產品所需的混合/射頻CMOS製程技術。

以高速製程技術為例，台積公司Nexsys技術平台中的90奈米製程技術使用三閘極氧化層(triple oxide)的設計(uses a triple-gate oxide for design versatility)，其核心電壓可以低至僅達1.0伏特、閘長介於45至65奈米間以及閘延遲低至僅達7.9沙秒(picosecond, 1萬億分之1秒)。其技術之低介電係數值(low-k dielectric rating)可以低於2.9，同時可提供多至10層的雙嵌式銅(dual-damascene)金屬層，並使用具有光學臨近效應校正 (Optical Proximity Correction)技術及相位移轉光罩(Phase Shift Mask)技術的先進步進掃瞄式微影機進行生產。

台積公司Nexsys技術平台是該公司今年技術發表會(Technology Symposium)的多項主題之一。台積公司今年在美國舉辦的首場技術發表會於美國時間4月9日在加州San Jose舉行，4 月11日將在德州Austin舉行，4月16日將在麻塞諸塞州Boston舉行，4 月18日將在加州Orange County舉行。此外，台積公司也將陸續在台灣、日本及歐洲各地舉辦技術發表會。欲參加任一技術發表會者，請至台積公司網站(www.tsmc.com.)點選報名。