Transphorm推出三款采用TOLL封装的SuperGaN氮化??场效应管（FET），导通电阻分别为35、50和72毫欧姆。Transphorm的TOLL封装配置符合业界标准，意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解决方案。新元件还具备Transphorm经验证的高压动态（开关）导通电阻可靠性。

这三款表面黏着元件（SMD）可支援在1至3千瓦的平均范围内运行的更高功率应用。这些电源系统通常用於高性能领域，如计算（人工智慧（AI）、伺服器、电信、资料中心）、能源和工业 （太阳光变频器、伺服马达），以及其他广泛的工业市场，这些市场目前的全球GaN TAM总额为25亿美元。值得注意的是，AI系统依赖GPU，其功率高於传统CPU的10到15倍，因此FET成为目前最隹化解决方案。

Transphorm的高功率GaN元件为生产中的高性能系统供电，包括资料中心电源、高功率游戏PSU、UPS和微型逆变器。TOLL元件还可以支援多种应用，如电动车的DC-DC转换器和车载充电器，底层SuperGaN晶片已通过汽车（AEC-Q101）认证。

SuperGaN TOLL FET是Transphorm提供的第六种封装类型，可提供多样的封装因应不同设计需求。TOLL元件利用常关D模式SuperGaN平台的固有性能和可靠性创造优势。此外，650 V SuperGaN TOLL元件通过JEDEC认证。由於常关D模式平台将GaN HEMT与低电压矽MOSFET配对，SuperGaN FET使用常用的栅极驱动器，容易驱动。它们可用於各式硬性和柔性切换的AC转DC、DC转DC，以及DC转AC创新拓扑，以提高功率密度，同时减小系统尺寸、重量和整体成本。SuperGaN TOLL元件目前可提供样品。