账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2013年05月15日 星期三

浏览人次:【1916】

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布为一家领先的消费性电子产品公司的家庭剧院系统,成功测试并量产供应采用其革命性氮化镓 (GaN) 功率技术平台制造的组件。

IR氮化镓组件 BigPic:400x600
IR氮化镓组件 BigPic:400x600

IR总裁暨执行长Oleg Khaykin表示:「采用IR旗下尖端的GaN技术平台及IP产品组合之组件进入商用出货阶段,再次成功延伸我们在功率半导体组件市场的领导地位,以及预示功率转换新时代的来临,这正好与公司旨在协助客户节省能源的重要愿景相辅相成。IR热切期望,GaN技术对功率转换市场的影响力能够至少媲美我们在30年前所推出的功率HEXFET。」

有关成就标志着IR在功率管理市场的策略性优势,藉以带来高资本效率的组件制造模式。相比先进的硅技术,GaN技术平台能够为客户改进主要特定应用的性能指数 (FOM) 多达10倍。这次IR迈向新的里程碑,彰显出该公司一直致力为客户提供顶尖的功率管理技术。

Khaykin总结称:「长远而言,GaN技术适用于IR所有业务单位及产品线。我们欣然见证该技术有效促进公司长远收入增长和增加市场占有率。我谨向所有相关人士致以衷心的谢意,并且祝贺他们取得非凡的成就。」

这款开创先河的GaN功率组件技术平台,是IR经过10年的时间,基于其专有硅上GaN磊晶技术进行开发及研究的成果。该高生产量的150mm硅上GaN磊晶和相关的组件制造程序,能够全面与IR具备成本效益的硅制造设施配合,为客户提供世界级的商业可行性GaN功率组件制造平台。

關鍵字: 氮化镓组件  IR 
相关产品
Transphorm氮化??元件助力DAH Solar微型逆变器光伏系统
EPC推出基于氮化镓元件的12 V/48 V、500 W升压转换器演示板
IR新款FastIRFET双功率MOSFET采用4×5 PQFN功率模块封装
IR推出电池保护应用MOSFET系列
IR推出表面黏着型75V MOSFET搭载极低导通电阻
  相关新闻
» CGD与工研院合作开发氮化??电源
» 朝阳科大永续研发中心协助企业迈向ESG净零转型
» 深化印台半导体双边产业合作 印度加速布局半导体聚落
» IDC:2027年全球车用半导体市场营收将突破85亿美元
» 恩智浦S32N55处理器 实现车辆中央实时控制的超级整合技术
  相关文章
» 功率循环 VS.循环功率
» 利用精密讯号链μModule解决方案简化设计、提高性能
» 利用精密讯号链μModule解决方案简化设计、提高性能
» 平板POS系统外壳和基座影响无线连线效能的实测
» 先进AI视觉系统以iToF解锁3D立体空间

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK86138O604STACUKT
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw