UnitedSiC推出一系列适用於与具备内建低压MOSFET的控制器IC共同封装的SiC JFET晶片，可制造出速度快，基於叠接的20W至100W返驰式产品。这些常导通式SiC JFET的操作电压范围为650V至1700V，可帮助实现简化的启动方案，具有零待机功耗。

SiC JFET在应对重复的雪崩和短路时具备强大能力，因此SiC叠接在实用中非常牢固。SiC JFET与控制IC中的LV MOSFET串列连接，常导通式JFET的源极电压在JFET关断之前升至12V，IC开始切换。透过JFET的电流路径可以用作控制器IC之启动电源。在转换器开始运作後，来自转换器变压器的辅助电源被闸控（gated-in），没有进一步的功率损耗。

UnitedSiC执行长Chris Dries表示：「伴随这些新型SiC JFET的推出，UnitedSiC现在已经位居业内拥有最广泛SiC功率产品组合厂商之列，我们能够透过晶片和离散封装形式来提供高性能JFET功能。」