帳號:
密碼:
最新動態
 
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
英飛凌推出OptiMOS源極底置功率MOSFET 展現優異熱性能
 

【CTIMES/SmartAuto 劉昕報導】   2022年02月16日 星期三

瀏覽人次:【1440】

英飛凌科技股份有限公司推出新一代OptiMOS源極底置(Source-Down,簡稱SD)功率MOSFET,為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。

新款功率MOSFET採用PQFN封裝,尺寸為3.3 x 3.3平方公釐,支援從25 V到100 V的寬電壓範圍。此種封裝可實現高效率、高功率密度以及業內領先的熱性能指標,並降低BOM成本,在功率MOSFET的性能方面,樹立新的業界標竿。該元件的應用領域十分廣泛,涵蓋馬達驅動,適用於伺服器、電信和OR-ing的SMPS,以及電池管理系統等。

與傳統的漏極底置(Drain-Down)封裝相比,最新的源極底置封裝技術,能夠使元件的外形尺寸接近於裸晶片。此外,這種創新封裝技術還能降低損耗,進一步增強元件的整體性能。相較於最先進的漏極底置封裝,採用源極底置封裝可使Rds(ON)降低30%。

此技術創新能夠為系統設計帶來的主要優勢包括:縮小外形尺寸,從SuperSO8 5 x 6平方公釐封裝轉變到PQFN 3.3 x 3.3平方公釐封裝,可減少約65%的占板空間,讓可用空間得到更有效的利用,從而提高終端系統的功率密度和系統效率。

在源極底置封裝中,熱量透過導熱墊傳遞到PCB上,而非透過銲線或銅夾,以此來改善散熱效果。這也使得結殼熱阻(RthJC)從1.8K/W降到1.4K/W,降幅超過20%,從而能夠實現優異的熱性能。

英飛凌提供兩種不同的尺寸版本和配置選項:SD標準閘極和SD中央閘極。在標準閘極配置中,電氣連接的位置保持不變,方便將標準的漏極底置封裝簡單直接地,替換成新的源極底置封裝;而在中央閘極配置封裝中,閘極引腳被移到中心位置以便於多個MOSFET並聯。這兩種型號都能夠優化PCB配置,使得寄生效應降低,PCB損耗改進,且易於使用。

英飛凌表示,OptiMOS源極底置功率MOSFET現已開始供貨。

關鍵字: Infineon(英飛凌
相關產品
英飛凌CoolSiC蕭特基二極體2000 V直流母線電壓最高可達1500 VDC
英飛凌針對汽車應用的識別和認證推出新型指紋感測晶片
英飛凌XENSIV PAS CO2 5V感測器提高建築效能及改善空氣品質
英飛凌全新邊緣AI綜合評估套件加速機器學習應用開發
英飛凌新一代CoolGaN電晶體系列採用8 吋晶圓製程
  相關新聞
» 臺歐攜手 布拉格論劍 晶片創新技術論壇聚焦前瞻發展
» DigiKey於SPS 2024展覽展示自動化品項與技術服務
» ROHM的EcoSiC導入COSEL的3.5Kw輸出AC-DC電源產品
» 中華精測AI製造 實現先進測試介面創新商機
» 貿澤為基礎架構和智慧城市設立工程技術資源中心
  相關文章
» 新一代Microchip MCU韌體開發套件 : MCC Melody簡介
» 最佳化大量低複雜度PCB測試的生產效率策略
» 公共顯示技術邁向新變革
» 大眾與分眾顯示技術與應用
» 掌握多軸機器人技術:逐步指南

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8B14ARJ1ESTACUKX
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw