英飛凌科技股份有限公司推出新一代OptiMOS源極底置(Source-Down,簡稱SD)功率MOSFET,為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。
新款功率MOSFET採用PQFN封裝,尺寸為3.3 x 3.3平方公釐,支援從25 V到100 V的寬電壓範圍。此種封裝可實現高效率、高功率密度以及業內領先的熱性能指標,並降低BOM成本,在功率MOSFET的性能方面,樹立新的業界標竿。該元件的應用領域十分廣泛,涵蓋馬達驅動,適用於伺服器、電信和OR-ing的SMPS,以及電池管理系統等。
與傳統的漏極底置(Drain-Down)封裝相比,最新的源極底置封裝技術,能夠使元件的外形尺寸接近於裸晶片。此外,這種創新封裝技術還能降低損耗,進一步增強元件的整體性能。相較於最先進的漏極底置封裝,採用源極底置封裝可使Rds(ON)降低30%。
此技術創新能夠為系統設計帶來的主要優勢包括:縮小外形尺寸,從SuperSO8 5 x 6平方公釐封裝轉變到PQFN 3.3 x 3.3平方公釐封裝,可減少約65%的占板空間,讓可用空間得到更有效的利用,從而提高終端系統的功率密度和系統效率。
在源極底置封裝中,熱量透過導熱墊傳遞到PCB上,而非透過銲線或銅夾,以此來改善散熱效果。這也使得結殼熱阻(RthJC)從1.8K/W降到1.4K/W,降幅超過20%,從而能夠實現優異的熱性能。
英飛凌提供兩種不同的尺寸版本和配置選項:SD標準閘極和SD中央閘極。在標準閘極配置中,電氣連接的位置保持不變,方便將標準的漏極底置封裝簡單直接地,替換成新的源極底置封裝;而在中央閘極配置封裝中,閘極引腳被移到中心位置以便於多個MOSFET並聯。這兩種型號都能夠優化PCB配置,使得寄生效應降低,PCB損耗改進,且易於使用。
英飛凌表示,OptiMOS源極底置功率MOSFET現已開始供貨。