新思科技(Synopsys)日前宣布，利用3D-IC整合技术加速多芯片堆栈系统(stacked multiple-die silicon system)的设计，以满足当今电子产品在指令周期提升、结构尺寸缩小及功耗降低等面向上的需求。

此外，新思科技3D-IC initiative也将与IC设计与制造厂商密切合作，以提供全方位EDA解决方案，其中包括IC实作(implementation)及电路仿真(circuit simulation)产品的强化版本。

3D-IC技术弥补传统晶体管微缩(transistor scaling)的不足，让设计人员藉由让多个芯片垂直堆栈或在硅基板(silicon interposer)上达成2.5D的平行排列(side-by-side)，以实现较高水平的整合。

3D-IC整合则是采用硅穿孔(through-silicon via，TSV)技术，是一种取代传统芯片堆栈打线接合(wire-bonding)步骤的互连新技术。使用TSV可增加晶粒内(inter-die)的通讯带宽、缩小封装结构尺寸 (form factor)，并降低多芯片堆栈系统的功耗。

PPM Associates总经理Phil Marcoux表示：「当2D微缩变得不实用后，集合效能、功耗和功能优势的3D-IC整合技术，很自然地便成了半导体科技的发展方向。有些3D-IC整合的优势如提升复杂度、强化效能，及降低功耗等，都已获得证实；但在3D-IC整合技术成为传统2D架构的商业可行替代方案之前，其他所宣称的优势如改善上市时程、降低风险及成本等则仍有待实现。就3D-IC整合技术应用于半导体产业而言，新思科技所提供之经硅晶验证的EDA及IP解决方案是相当重要的。」