账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
 

【CTIMES/SmartAuto 蔡維駿报导】   2012年05月16日 星期三

浏览人次:【1246】

快捷半导体公司(Fairchild) 日前推出一款25V、3.3x3.3mm2低侧高双功率芯片非对称N信道模块 FDPC8011S,协助设计人员应付这一系统挑战。

简单的布局和布线,提供更小巧的线路板布局及最佳的散热性能
简单的布局和布线,提供更小巧的线路板布局及最佳的散热性能

FDPC8011S专为开关频率更高的应用而开发,在一个采用全Clip封装内整合1.4mΩ SyncFETTM 技术和一个5.4mΩ控制MOSFET、低质量因子的N信道MOSFET,有助于减少同步降压应用中的电容数量,同时缩小电感尺寸。该组件具有源极向下和低侧MOSFET,可以达成简单的布局和布线,提供更小巧的线路板布局及最佳的散热性能。FDPC8011S具有超过25A的输出电流,容量比其它普通3x3mm2 双MOSFET组件提高2倍。

關鍵字: Fairchild 
相关产品
Fairchild 推出SuperFET III MOSFET系列 具备更佳效率、EMI及耐用性
Fairchild凭借全新降压-升压调节器解决行动装置散热及欠压问题
Fairchild 的 USB Type-C 控制器相容于最新型产品
Fairchild 推出新型主动桥式解决方案
Fairchild 推出内嵌感应器融合功能的工业级动态追踪模组
  相关新闻
» 工研院突破3D先进封装量测成果 获德律、研创资本、新纤注资共创欧美科技
» A+计划补助电动车产业 驱动系统、晶片和SiC衍生投资3亿元
» 工研院主办VLSI TSA研讨会登场 聚焦异质整合与小晶片、高速运算、AI算力
» 国科会扩大国际半导体人才交流 首座晶创海外基地拍板布拉格
» SEMI:2023年全球半导体设备市况 出货微降至1,063亿美元
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK855CNZE8ISTACUKL
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw