国际整流器公司（IR）近日宣布，推出一系列25 V及30 V组件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅组件和新款高性能PQFN 3 x 3封装，为电讯系统、网络通讯和高端桌上及笔记本计算机应用的DC-DC转换器，带来高密度、可靠，且高效率的解决方案。

IR新款25 V及30 V高性能PQFN功率MOSFET系列

IR的新款高性能PQFN 3 x 3封装是制造技术改进的成果，以全新精密占位空间提供较标准PQFN 3 x 3组件高出最多60%的负载电流效能，同时显著减少整体封装电阻，从而达到极低的导通电阻（RDS(on)）。除了低导通电阻，新的高性能PQFN封装加强了热传导性和提高了可靠性，还符合工业标准及MSL1湿度敏感性测试。

该系列包括充当控制MOSFET的经优化组件，提供低闸极导通电阻（Rg）去减少开关损耗。在同步MOSFET应用方面，新组件采用FETKY（单片式FET及肖特基二极管）组态方式供应，从而缩短逆向复原时间，以加强效率和EMI性能。