IDT推出高隔离性与线性射频开关

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IDT公司日前推出了F2912开关，此开关为半导体公司首次规划的新射频（RF）开关产品系列。F2912具有先进的低插入损耗、高隔离度及线性等整合特色，是在进行微波回载及前载、检测设备、有线电视头端，WiMAX射频、无线系统与一般开关应用基地台（2G、3G与4G）等工作时的最佳选择。

「预计在2018年之前，LTE技术到将占有90%的射频基站系统的出货量，」EJL无线研究公司总经理Earl Lum 谈到：「LTE技术不断演进的结果将需求高线性、高性能的芯片，促使本公司稳立优越地位，并藉由此独特产品及射频技术能力为本公司定出产品区隔。」F2912支持多元应用的最新系统要求与性能。

IDT无线产品定位与营销高级主管克里斯斯蒂芬说明，F2912代表IDT已进入RF开关市场，完美整合该公司其他的射频产品，为工程师们提供一条可靠、高效能的开发管道。他表示：「藉由一系列高性能指针，F2912无疑是多任务无线及其他射频应用的最佳选择。」（编辑部陈复霞整理）

产品特色

‧在300 KHz到8G Hz频率范围，在不牺牲整体频率范围之性能下实现宽广的带宽。

‧在不影响绝缘性能下，0.4dB的低IL具有低路径损耗。

‧2 GHz 60 dB的高隔离度，能减少相邻RF埠路径之间的信号泄漏。

‧高OIP3的+64 dBm以减少互调失真。

‧在30 dBm为P1dB时，具备1W的压缩点，确保各项应用稳定操作

‧3.3 V和1.8 V控制逻辑与普通FPGA和微控制器的逻辑水平保持一致。

‧在恶劣散热环境下，摄氏-55至125度的操作温度范围能够维持高可靠度。