Ramtron日前宣布，已开始供应4-至64Kb串行非挥发性铁电RAM（F-RAM）内存的预认证样品，新产品于Ramtron在美国的新晶圆供应源以铁电内存制程生产，具有1万亿次（1e12）的读/写周期、低功耗和无延迟（NoDelay）写入等特性。

FM25040C、FM25C160C和FM25640C分别是4、16和64Kb F-RAM内存，能够以20MHz的总线速度进行写入操作，并具有产业标准串行周边接口（SPI）。F-RAM内存数组在接收到数据后，可立即将数据写入内存；不同于需要数据轮询的EEPROM和其它非挥发性内存，F-RAM内存可以立即开始下一个总线周期。

Ramtron公司FM25xxxC系列器件具有一个串行SPI接口，工作电压为5V，在-40°C至+85°C的整个工业温度范围内。此外，FM25xxxC系列产品具有低功耗特性，当时钟速率为1 MHz时，有效电流约为250µA。以及复杂的写入保护机制，可以防止不经意的内存数据写入。

全系列器件均采用工业标准的8脚“绿色”且与RoHS兼容的SOIC封装。除FM25xxxC系列之外，Ramtron还提供I2C接口的FM24xxxC系列串行内存的样品，包括4Kb、16Kb和64Kb。