晶圆表面微量污染物的分析对半导体制造至关重要。随?生产工序日益精细化、品质标准日趋严格，在降低缺陷率方面，此过程发挥?重要作用。此外，包含数百道工序的生产线需要精准的微量污染物分析，以维持稳定运行和产品品质的可靠性。在 TXRF代表性分析方法中，Rigaku 已将其技术确立为有效的全球标准。

图一为Rigaku新型 XHEMIS TX-3000全反射 X 射线萤光系统，支援半导体制造中晶圆表面微量污染分析。图二为表面污染物分布量测结果。

Rigaku 新型XHEMIS TX-3000在测量精度、操作性及生产效率方面实现飞跃式提升。例如XHEMIS TX-3000 的处理速度可最高达到 Rigaku 以往系统的 6 倍。首先，透过结合新开发的光学阵列及新型多元素检测器，测量速度提升至 3 倍。其次，该组合系统配合 AI 驱动的光谱预测技术，在保持精度的前提下，将测量速度再度提升一倍。这一两阶段技术创新有助於提升半导体制造现场的生产效率与制程的稳定性。在旧型号中需耗时一小时的测量，现在仅需 10 分钟即可完成。

XHEMIS TX-3000 采用可在三种波长间切换的 X 射线源，能够分析钠、镁、铝等萤光 X 射线分析系统难以检测的轻元素。透过这种方式，几??可以在不破坏样品的情况下，测量所有元素的表面污染分布。

此外，XHEMIS TX-3000 结合了新开发的可进行 X 射线照射的单色器，以及可同时测量晶圆表面三个位置的多元素检测器。透过组合这些功能，XHEMIS TX-3000 相比以往系统，测量速度提升至约 3 倍。

萤光X射线分析系统若缩短测量时间会导致精度下降。HEMIS TX-3000 采用基於大量分析数据训练的光谱预测软体，在将量测时间减半之际能够保持精度。此外，新功能可减少不必要的背景讯号，将应用范围扩展到以往无法进行微量污染测量的各种材料，如阻挡金属（布线保护涂层）、高介电薄膜及化合物半导体。