Mouser Electronics即日起开始供应Texas Instruments (TI) 的LMG3410R070 600V 70 m?氮化?? (GaN) 功率级产品。LMG3410R070具有超低的输入与输出电容，支援高功率密度之电动马达应用的新型态需求，适合的应用包括工业型与消费型的电源供应器。高效能GaN功率级支援的电流、温度、电压和切换频率皆比矽电晶体更高，同时还可减少多达80%的切换耗损。

贸泽供货TI LMG3410R070 GaN功率级产品

贸泽电子所供应的TI LMG3410R070 GaN功率级内建整合式闸极驱动器，具备稳定可靠的保护功能，可提供比矽MOSFET和绝缘闸双极电晶体 (IGBT) 更为出色的效能。装置具有零共源电感、25至100 V/ns可由使用者调整的旋转率，以及适合mHZ作业的20 ns传播延迟。

这款稳定的IC具备过电流保护，支援超过150 V/ns旋转率的抗扰性、过热保护及瞬态过电压抗扰性，且所有供电轨皆具备过电压锁定保护。LMG3410R070功率级采用尺寸小巧的8 mm × 8 mm QFN封装，无需外部保护元件，对於简化设计和布局流程很有帮助。

LMG3410R070很适合搭配KEMET Electronics的KC-LINK表面黏着电容器运作。KC-LINK电容器经过特别设计，具有极低的有效串联电阻和热阻，有助装置承受高频、高电压DC连结应用的应力，符合TI LMG3410R070 IC等快速切换半导体的需求。

TI LMG3410R070功率级提供了优异的功率密度，有助於实作Totem Pole PFC之类的高效拓扑，帮助电源供应器缩小多达50%的尺寸。LMG3410R070 IC适合的应用包括多级转换器、太阳能逆变器、高电压电池充电器和不断电系统。