飛凌日前宣佈推出新型 ThinPAK 8x8 無鉛 SMD 封裝的高壓 MOSFET。新型封裝面積僅有 64mm² （小於 D2PAK 的 150mm²），且高度僅 1mm（低於 D2PAK 的 4.4mm），不但尺寸極小，又具備標準的低寄生電感，為設計人員提供一個全新且有效縮小系統方案尺寸的功率密度設計。英此高度 1mm 的新型表面黏著封裝，將TO-220 業界標準晶片尺寸置於面積僅 8x8mm 的無鉛外殼內，並具備裸露的金屬汲極接墊，可有效排除內部產生的高溫。其精巧的體積可讓設計人員設計出更輕薄的電源供應器外殼，滿足現今市場對輕巧時尚新產品的需求。目前已經有兩家公司採用此新標準：英飛凌及意法半導體將推出採用此創新封裝方式的 MOSFET，分別命名為 ThinPAK 8x8（英飛凌）及PowerFLAT 8x8 HV（意法半導體），為顧客提供高品質的產品選擇。

英飛凌新型 ThinPAK 8x8 無鉛 SMD 封裝的高壓 MOSFET

英飛凌高壓 MOS 功率離散元件產品線經理Jan-Willem Reynaerts表示：「此類封裝為高壓 MOSFET 專用的無鉛 SMD 封裝設立了新的市場標準，我們並與意法半導體共同宣佈推出採用此封裝的產品。諸如 CoolMOS等矽晶技術已在效率及快速轉換方面佔有相當的優勢，反觀傳統插入式（through-hole）封裝成為產品節能與功率密度升級之限制。」

ThinPAK 8x8 封裝的特性為：來源電感極低，僅2nH（D2PAK 為 6nH）、獨立的驅動器來源連接（純閘信號）以及與 D2PAK 類似的散熱效能。因此，ThinPAK 8x8 能夠支援更快速且更有效的Power MOSFET 轉換，並更輕鬆地處理晶體切換及EMI問題。

英飛凌將先針對 600V CoolMOS元件推出三種封裝方式的版本：199 mOhm （IPL60R199CP)、299 mOhm（IPL60R299CP）及 385 mOhm（IPL60R385CP）。