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Qorvo推出750V SiC FET 封裝D2PAK-7L提供更大靈活性
 

【CTIMES/SmartAuto 劉昕報導】   2022年07月27日 星期三

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Qorvo今日宣佈推出採用表面貼裝D2PAK-7L封裝的七款750V碳化矽(SiC)FET,借助此封裝選項,Qorvo SiC FET可為車載充電器、軟切換DC/DC轉換器、電池充電(快速DC和工業)以及IT/伺服器電源等快速增長應用量身客制,能夠為在熱增強型封裝中實現更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益高功率應用提供更佳解決方案。

Qorvo針對電源設計擴展更高性能和效率750V SiC FET產品組合
Qorvo針對電源設計擴展更高性能和效率750V SiC FET產品組合

Qorvo第四世代UJ4C/SC系列在650/750V時具有9mΩ之業內更低RDS(on),其額定值分別為9、11、18、23、33、44和60mΩ。這種廣泛選擇可為工程師提供更多元件選項,從而具有更高靈活性,以實現更佳成本/效率平衡,同時保持充足設計冗餘和電路牢固性。

利用獨特疊接式(cascode)SiC FET技術,其中常開型SiC JFET與Si MOSFET共同封裝以生成常關型SiC FET,這些元件可提供同類更佳 RDS x A品質因數,能夠以較小晶片實現較低傳導損耗。

Qorvo旗下UnitedSiC首席工程師Anup Bhalla表示:「D2PAK-7L封裝可降低緊湊型內部連接環路電感,與包含的Kelvin源極連接一起,可降低切換損耗,從而實現更高操作頻率和更高系統功率密度。

這些元件還採用銀燒結(silver-sinter)晶片貼裝技術,熱阻非常低,可透過標準PCB和帶液體冷卻IMS基板最大限度散熱。」

採用D2PAK-7L封裝新型750V第4世代SiC FET單價(1000片以上,美國離岸價)從UJ4C075060B7S的3.50美金到UJ4SC075009B7S的18.92美金不等。所有元件均可從授權經銷商處獲得。

Qorvo旗下UnitedSiC UJ4C/SC第4世代SiC FET系列能夠提供業內更佳性能品質因數,進而在更高速度下降低傳導損耗並提高效率,同時提高整體成本效益。

關鍵字: Qorvo 
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