帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
IR氮化鎵元件開始商用出貨
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2013年05月15日 星期三

瀏覽人次:【1888】

國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布為一家領先的消費性電子產品公司的家庭劇院系統,成功測試並量產供應採用其革命性氮化鎵 (GaN) 功率技術平台製造的元件。

IR氮化鎵元件 BigPic:400x600
IR氮化鎵元件 BigPic:400x600

IR總裁暨執行長Oleg Khaykin表示:「採用IR旗下尖端的GaN技術平台及IP產品組合之元件進入商用出貨階段,再次成功延伸我們在功率半導體元件市場的領導地位,以及預示功率轉換新時代的來臨,這正好與公司旨在協助客戶節省能源的重要願景相輔相成。IR熱切期望,GaN技術對功率轉換市場的影響力能夠至少媲美我們在30年前所推出的功率HEXFET。」

有關成就標誌著IR在功率管理市場的策略性優勢,藉以帶來高資本效率的元件製造模式。相比先進的矽技術,GaN技術平台能夠為客戶改進主要特定應用的性能指數 (FOM) 多達10倍。這次IR邁向新的里程碑,彰顯出該公司一直致力為客戶提供頂尖的功率管理技術。

Khaykin總結稱:「長遠而言,GaN技術適用於IR所有業務單位及產品線。我們欣然見證該技術有效促進公司長遠收入增長和增加市場佔有率。我謹向所有相關人士致以衷心的謝意,並且祝賀他們取得非凡的成就。」

這款開創先河的GaN功率元件技術平台,是IR經過10年的時間,基於其專有矽上GaN磊晶技術進行開發及研究的成果。該高生產量的150mm矽上GaN磊晶和相關的元件製造程序,能夠全面與IR具備成本效益的矽製造設施配合,為客戶提供世界級的商業可行性GaN功率元件製造平台。

關鍵字: 氮化鎵元件  IR 
相關產品
Transphorm氮化鎵元件助力DAH Solar微型逆變器光伏系統
EPC推出基於氮化鎵元件的12 V/48 V、500 W升壓轉換器演示板
IR新款FastIRFET雙功率MOSFET採用4×5 PQFN功率模塊封裝
IR推出電池保護應用MOSFET系列
IR推出表面黏著型75V MOSFET搭載極低導通電阻
  相關新聞
» LitePoint攜手三星電子進展 FiRa 2.0新版安全測距測試用例
» 晶心、經緯恒潤與先楫半導體共築RISC-V AUTOSAR軟體生態
» AMD蟬聯高效能運算部署的最佳合作夥伴殊榮
» 意法半導體推出靈活同步整流控制器 提升矽基或氮化鎵功率轉換器效能
» VESA更新DisplayHDR規範 提升PC與筆電HDR顯示器效能
  相關文章
» 出口管制風險下的石墨替代技術新視野
» 樹莓派推出AI攝影機、新款顯示器
» 以爆管和接觸器驅動器提高HEV/EV電池斷開系統安全性
» 生成式AI引爆算力需求 小晶片設計將是最佳解方
» PCIe傳輸複雜性日增 高速訊號測試不可或缺

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.138.114.132
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw