意法半導體進一步提高照明安定器功率MOSFET的耐用性、切換性能和效率，功率MOSET被用於安定器及開關電源的功率因數校正器(PFC)和半橋電路內。 SuperMESH3的創新技術，結合更低的導通電阻，確保其擁有更高的效率。此外，配合其優異的dv/dt性能，更高的擊穿電壓極限，將大幅地提高新產品的可靠性和安全性。

ST推高耐用性及切換性能和效率之MOSFET產品

620V的STx6N62K3是新推出的SuperMESH3系列產品的首款產品，隨後還將推出620V的STx3N62K3和525V 的STx7N52K3 和STx6N52K3。利用SuperMESH3技術可以降低導通電阻的優點，在620V電壓下，DPAK封裝的STD6N62K3把導通電阻RDS(on)降低到 1.28Ω；在525V電壓下，STD7N52K3把導通電阻RDS(on)降低到0.98Ω，進而可以提高節能燈安定器等照明應用的工作效率。新技術還能降低反向恢復時間(Trr)、閘極電荷量和原生電容，可提升切換性能和工作頻率。

結合最佳化的垂直架構和帶狀佈局，為ST的 SuperMESH3技術增添了一個新的優點︰具有同類產品中最出色的dv/dt特性。 這個特性可以讓照明系統和消費電子設備具有更高的可靠性和安全性。為了提供全方位的耐用，SuperMESH3元件全都經過了100%的雪崩測試，並整合了齊納二極體保護功能。

在快速反向恢復時間和高壓技術中，SuperMESH3的單位面積導通電阻最小，受益於這項技術， STx6N62K3、STx7N52K3、STx3N62K3和STx6N52K3可以採用比同等級產品尺寸更小的封裝，如DPAK。 如此可以節省其占用面積和電路板空間，同時，在切換和散熱性能方面，還能與尺寸更大的產品相媲美。