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晶背供电技术的DTCO设计方案

聚焦高效能运算的应用潜能 探索不同的晶背连接技术

一些晶片大厂近期宣布在其逻辑晶片的开发蓝图中导入晶背供电网路(BSPDN)。比利时微电子研究中心(imec)于本文携手矽智财公司Arm,介绍一种展示特定晶背供电网路设计的设计技术协同优化(DTCO)方案,其中采用了奈米矽穿孔及埋入式电源轨来进行晶背布线。他们展示如何在高效能运算应用充分发挥该晶背供电网路的潜力,并介绍在标准单元进行晶背连接的其它设计选择,探察晶背直接供电方案所能发挥的最大微缩潜能。


长久以来,讯号处理与供电网路都在矽晶圆正面进行,晶背供电技术打破了这种传统,把整个配电网路都移到晶圆背面。矽穿孔直接让电力从晶背传输到晶圆正面,电子就不用经过那些在晶片正面且结构日益复杂的后段制程堆叠。


晶背供电技术:改变新一代逻辑晶片规则
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