Nexperia宣布推出两款1200V、20A碳化矽（SiC）萧特基二极体PSC20120J与PSC20120L，专为高功率密集型基础设施设计，目标应用涵盖AI伺服器丛集、电信设备与太阳能逆变器等对能效要求极高的电源系统。

图一 : Nexperia 新款1200V SiC萧特基二极体强化AI伺服器与高功率应用效能转换

新产品采用具备零恢复时间与温度稳定性的先进设计，能提供优异的品质因数（Qc x Vf）与开关性能，即使在高电流与高速切换环境下也能保持稳定输出。其内部采用MPS（PiN萧特基）结构，具备高突波耐受力（IFSM），减少额外保护电路需求，进一步简化系统设计并降低成本。

封装方面，PSC20120J为表面贴装型D2PAK R2P（TO-263-2），PSC20120L则为通孔型TO247 R2P（TO-247-2），两者皆具备高热稳定性，适用於高达175。C的严苛高压工作环境。Nexperia此系列产品将成为实现AI与高能耗系统高效能电源转换的关键元件，助力工程师打造更小型、高效与可靠的电力设计。
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