imec达成High-NA EUV单次图形化里程碑

於2025年国际光电工程学会（SPIE）光罩技术暨极紫外光微影会议（美国加州蒙特雷市）上，比利时微电子研究中心（imec）发表了两项有关单次压印极紫外光（EUV）微影的突破性进展：（1）间距为20奈米的导线图形，包含与镶嵌金属化制程相关的13奈米图形端到端（tip-to-tip，简称为T2T）关键尺寸（CD），以及（2）在20奈米间距下，利用直接金属蚀刻（direct metal etch）制程取得的??（Ru）导线电性测试（electrical test）结果。

图一 : 利用直接金属蚀刻，经单次曝光High-NA EUV微影所制出的18奈米间距??（Ru）导线。

这些成果部分由欧盟的奈米晶片试验制程来推动实现，不仅为推进High-NA EUV图形化的单次压印性能立下重大里程碑，也突显imec与艾司摩尔（ASML）之间的夥伴关系对推动High-NA EUV进入量产的更广大生态系统所发挥的关键作用，突破2奈米以下的逻辑技术发展途径。

imec在今年2月举行的SPIE先进微影成形技术会议（Advanced Lithography and Patterning Conference）展示20奈米间距的金属化导线结构後，如今运用单次曝光High-NA EUV微影步骤，实现包含13奈米T2T关键尺寸的20奈米间距导线图形。针对13奈米的T2T结构，已测得最小只有3奈米的局部关键尺寸一致度（local CD uniformity），立下业界里程碑。这些成果利用金属氧化物阻剂（MOR）来实现，该阻剂透过涂布底层、光瞳形照明与光罩选择来进行协同优化。
...
...

另一名雇主	限られたニュース	文章閱讀限制	出版品優惠
一般使用者	10/ごとに 30 日間	0/ごとに 30 日間	付费下载
VIP会员	无限制	25/ごとに 30 日間	付费下载