AI伺服器持续推升高频宽记忆体需求,2026年HBM市场正式由HBM3E跨入HBM4世代,产业成长红利开始由三星电子、SK海力士等记忆体大厂,向韩国半导体设备供应链快速扩散。随着HBM4进入量产,以及12层、16层堆叠技术持续演进,TC Bonder、晶圆切割、检测与先进封装设备逐步成为新一波设备投资焦点。
三星电子於2026年第一季宣布,已针对NVIDIA Vera Rubin平台启动HBM4量产出货,并规画第二季交付首批HBM4E样品。HBM4不仅提高资料传输速度,也对先进DRAM制程、Base Die与封装整合提出更高要求,意味从晶圆制造到後段封装,都将带来设备升级需求。
此外,SK海力士持续强化HBM4产能布局。为因应AI市场需求,公司正向韩国清州P&T6导入更多後段设备,强化HBM4量产准备;近期更通过54.3兆韩元投资计画,扩建龙仁与清州生产基地,其中龙仁新厂将锁定HBM等先进DRAM产品,显示韩国记忆体产能扩张仍将延续至下一个设备投资周期。
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