再进一程：三星40奈米DDR3样本已送达

根据研究机构Gartner报告预测，2010年全球伺服器出货量成长率将有5至9%的成长，面对此波市场机会，三星电子今日（3/30）宣布旗下专门提供伺服器系统使用的32Gb记忆体模组已开始送交样品。采用的是40奈米制程。

图一 : 三星将在今年下半年迈入30奈米级制程。 BigPic:401x251

三星电子记忆体部门董事长暨总经理Soo-In Cho表示，高阶伺服器在应用上需要更先进的记忆体作为标竿，今日送出的40奈米制程样品，完成了以往不能实现的梦幻级表现---在低功耗的状态下，依然可以达到高密度与高效能。

三星电子本次送出样本的32Gb记忆体模组，可以在不增加功耗的情况下，超越40奈米级16GbRDIMM效能。连接至伺服器，一个系统的记忆体可以扩充至384GB，较前代规模紧实了两倍。此外，如果使用6个32GB模组来代替12个16GB模组，以达成192GB的总密度，运作速度可提升33%，由800 Mbps增加到1,066 Mpbs，而所需功率则减少40%。对於大量处理资料的Data Center、伺服器系统与高阶笔电来说，具有相当的节能意义。
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