今年二月对台湾的DRAM产业来说，很不寻常。先是月初，早已是巨额债务缠身的茂德，终于正式宣布将破产下市；之后，有台塑集团富爸爸撑腰的华亚也不敌亏损压力，表示将办理私募，引入美光资金成为最大股东。到月底，一直以来被台湾视为「联日抗韩」要角的尔必达无预警宣告破产，这个强力震撼弹更是让台湾沉痾已久的DRAM产业问题，一下子全部搬上了台面。

台湾DRAM产业最大的吊诡之处在于，它是一个没有科技的高科技产业，缺乏自主技术的体质，如同预知死亡纪事一般，早就注定了它走向衰败的命运。

除了完全仰赖国外技术授权外，制程技术落后、PC市场成长动力不再、缺乏多样化的记忆体技术组合、三星长期性的竞争策略等各种因素，都是造成台湾DRAM产业一蹶不振的原因。

根据DRAMeXchange的资料，台湾DRAM业者在2006年第四季时，总计市占率还有17.8％，才不过五年的光景，去年第四季就已经下滑到只剩6.1％。反之三星，则是从24.9％跃升到44.3％。我消彼长，被打得溃不成军。

据统计，国内南科、华亚、瑞晶、力晶、茂德五家业者从2001年到2010年共投资了九千多亿台币，但帐面的长期债务却已累积到一千五百多亿台币。业者拥有这么庞大的资源，但只是用在量的扩充，未用在质的提升。

台湾DRAM业者赚的钱用在研发投资的比例远低于竞争对手，却愿意花大笔的技术授权金。当初大手笔盖12吋厂的风光，现在却是债多不愁，嚷着政府不能让台湾没有DRAM产业。

台湾DRAM产业已到谢幕时刻

另一方面，以产品组合来说，台湾DRAM业者只能生产标准型DRAM，相较于其他业者的多样化技术组合就已经是一大败因。 DRAM是一个周期性需求起伏大、技术进步快速、成本快速下滑、固定投资大的产业。不能持续投资在制程技术上领先，景气好时赚的钱，到需求疲弱的时候，就得全部吐回去。

因此，若没有NAND Flash、Mobile DRAM等其他记忆体产品来补贴或调节DRAM的周期性需求，就永远只能处于挨打的地位。更别提，近年来行动装置兴起，PC需求不振对标准型DRAM市场的冲击了。

以三星为例，它能横霸DRAM市场，就是因为积极投入研发，制程技术大幅领先，拥有绝佳的成本优势；再加上，它的产品线组合完整，能够相互支援，使其获利能力长期优于台湾业者，也因此能够在长期竞争中立于不败之地。

尔必达宣告进入破产保护后，也预告了台湾DRAM产业即将划下句点。五家DRAM厂商中，茂德已经下市，力晶、南亚将转型晶圆代工，美光已成为​​华亚大股东，剩下瑞晶，这个尔必达持股占65％的公司，未来也极可能因为母公司处分海外资产而被卖掉。

根据日前日本媒体的报导，尔必达将采用竞标方式来决定未来的合作企业，东芝、美光、GlobalFoundries都是被点名的热门人选。不管是哪家业者得标，未来瑞晶必将纳入旗下，台湾DRAM产业二十多年的黄粱梦，也将梦醒。

台湾退出DRAM市场版图，真会对国内PC产业造成影响吗？对一个市占率已经只剩下6％的产业来说，还要强调它对国内产业的重要性，实在是一大讽刺。由于特殊的产业特性，标准型DRAM必定会历经激烈整并后，走向几家大厂寡占的局面，每家业者才能有各自的生存空间。

未来，DRAM产业应该是三星、海力士、美光三强鼎立的态势。在市场机制运作下，三星不可能，也无法故意阻碍台湾电脑业者的订单。以这种诉求，要求政府纾困，救DRAM产业的理由，也已经再也无法让人信服。

台湾还有机会吗？

少了标准型DRAM这一块，台湾的记忆体产业还会有未来吗？我们愿意乐观地相信，机会还是有的。

随着制程微缩面临极限，3D IC是近年来半导体产业的一个重要议题。除了同质晶粒的堆叠外，在行动装置需求推动下，将逻辑晶片与记忆体堆叠在一起的异质3D IC技术，更是多家半导体大厂的主要研发方向。

以台积电为例，董事长张忠谋去年首度公开新的商业模式─COWOS（chip on wafer on substrate），就是运用矽中介层（interposer）技术，进入2.5D或3D IC领域，不过当时张忠谋并不愿意揭露台积电的记忆体合作伙伴。

此外，英特尔也宣布与工研院合作，将共同研发以3D IC为基础的新世代记忆体技术。虽然英特尔曾经在WiMax布局上，让台湾产业吃了一大闷亏，但我们还是相信，此次的合作，会对台湾的记忆体技术带来一些助益。

同时，在NAND Flash方面，虽然一直以来台湾厂商都在这个领域缺席，未能搭上商机荣景，但是NAND Flash制程较DRAM更为先进，已走到20奈米以下，未来再往下微缩，难度将越来越高。采用既有架构是否能进入10奈米以下，技术上仍是未知数，这或许能为台湾业者带来追赶的机会。

举例来说，旺宏已于今年二月推出低容量SLC NAND Flash产品，虽然离主流应用还有一段距离，但总算是迈出了一小步。旺宏的策略是希望透过其BE-SONOS技术，再搭配三维垂直闸极（3D VG），开发出大容量的3D NAND Flash解决方案。

3D IC还在初期发展阶段，还有很多的成长机会，也必定是未来的技术发展趋势。即使我们曾经在DRAM产业技术落后，但站在现在新的起跑点上，业者必须舍弃过去靠经济规模赚钱的思维，若能眼光放远，真正投入自主技术的建立，或许未来仍是有可为的。

图一