英特尔晶圆代工完成商用高数值孔径极紫外光微影设备组装

英特尔位於美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔研发基地中，研发人员已完成商用高数值孔径极紫外光微影设备（High NA EUV）组装。此台由微影技术领导者艾司摩尔（ASML）供应的TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV微影设备，将开始进行多项校准步骤，预计於2027年启用、率先用於Intel 14A制程，协助英特尔推展未来制程蓝图。此设备将投影印刷成像到晶圆的光学设计进行改造，明显提升下世代处理器的图像解析度和尺寸缩放。

图一 : 英特尔晶圆代工完成商用高数值孔径极紫外光微影设备组装

High NA EUV微影设备在先进晶片开发和下世代处理器生产中扮演关键角色。英特尔晶圆代工布署的High NA EUV微影设备，将为晶片制造带来精准度和可扩充性，协助英特尔开发创新功能完善的晶片，加速推动AI和其他新兴技术的发展。

ASML位於荷兰费尔德霍芬总部的高数值孔径实验室首次列印出10奈米的高密度线路，创下EUV微影设备解析度的世界纪录，成为EUV微影设备迄今为止列印出最精细的线路。这项突破也让ASML的合作夥伴蔡司（ZEISS）在High NA EUV微影设备上的创新光学设计获得验证。
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